Tag per "mosfet"
-
Nuovi MOSFET duali a bassa resistenza di ON da ROHM
ROHM propone cinque nuovi modelli di MOSFET delle serie HP8KEx/HT8KEx e HP8MEx. Si tratta...
-
Utensili cordless: tendenze e requisiti da considerare in fase di progettazione
Gli utensili cordless sono molto diffusi, perché ovviamente eliminano la presenza di fastidiosi cavi...
-
Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200V
Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky...
-
Da Toshiba un compatto MOSFET a canale N common-drain
Toshiba Electronics Europe ha presentato SSM14N956L, un MOSFET a canale N common-drain a 12V...
-
I nuovi MOSFET di potenza a canale N a 600 V di Toshiba
La nuova serie di MOSFET di potenza a canale N DTMOSVI a 600V di...
-
Magnachip avvia la produzione in serie di MOSFET MXT a 40 V per i sistemi di energy recovery
Magnachip Semiconductor ha avviato la produzione in serie del suo nuovo MOSFET MXT da...
-
Condensatori ceramici multistrato (MLCC) da 150 °C per gruppi propulsori operanti ad alta temperatura
I condensatori ceramici multistrato (MLCC) delle serie X8L e X8G di Samsung Electro-Mechanics garantiscono...
-
Migliorare il progetto del sistema di alimentazione con la tecnologia DrMOS
Questo articolo descrive la recentissima tecnologia driver + MOSFET (DrMOS) e i relativi vantaggi...
-
I MOSFET SiC Toshiba di terza generazione disponibili da Farnell
Farnell ha annunciato la disponibilità della terza generazione di MOSFET in carburo di silicio...
-
Convertitori c.c./c.c. per gate driver: criteri di scelta
Dagli alimentatori agli azionamenti per motore, dalle stazioni di ricarica a una miriade di...
-
La progettazione dei circuiti elettronici
In questo articolo, dopo l’esposizione dei principi base della progettazione e dell’analisi dei circuiti...
-
I MOSFET SiC di ROHM di quarta generazione per gli inverter Hitachi Astemo
I nuovi MOSFET SiC di quarta generazione e i gate driver di ROHM sono...
-
Nuovo MOSFET di ROHM per dispositivi piccoli e sottili
ROHM ha sviluppato un MOSFET a canale N da 20 V caratterizzato da una...
-
Raffreddamento sul lato superiore per i nuovi MOSFET di onsemi
Presso lo stand onsemi, a electronica 2022, i visitatori possono vedere i nuovi dispositivi...
-
GaN e silicio: la sfida
La tecnologia GaN continuerà a migliorare in termini di prestazioni e costi, mentre i...
News/Analysis Tutti ▶
-
Partnership tra Advantech e ADATA per gli AMR
Advantech ha annunciato una partnership con ADATA per lo sviluppo di un robot mobile...
-
La connettività in ambienti difficili analizzata in un eBook di Mouser e Cinch
Mouser Electronics, in collaborazione con Cinch Connectivity Solutions, ha pubblicato un nuovo eBook intitolato...
-
Disponibili da Powell Electronics i trasduttori di pressione di Honeywell
Powell Electronics ha comunicato la disponibilità dei trasduttori di pressione media-isolated della serie MIP...
Products Tutti ▶
-
Panasonic migliora la produzione di PCB
Panasonic Connect Europe ha realizzato il nuovo modular mounter NPM-GW, un modulo di montaggio...
-
Innodisk: la memoria per potenziare l’IA
Innodisk ha annunciato la sua serie di DRAM DDR5 6400, appositamente realizzata per applicazioni...
-
D-Link presenta il router Wi-Fi 6 e 5G G530
G530 è un nuovo router 5G NR AX3000 Wi-Fi 6 di D-Link che consente...