Nuovo MOSFET di ROHM per dispositivi piccoli e sottili

ROHM ha sviluppato un MOSFET a canale N da 20 V caratterizzato da una elevata efficienza e particolarmente compatto, il modello RA1C030LD. Questo nuovo componente è ottimizzato per la commutazione in dispositivi piccoli e sottili, compresi smartphone e i dispositivi indossabili come per esempio earbuds e altre apparecchiature auricolari.

RA1C030LD viene proposto in package di tipo wafer-level chip-size DSN1006-3 (1,0 mm × 0,6 mm) che permette di ottenere una bassa dissipazione unita a una maggiore miniaturizzazione. Relativamente al rapporto tra perdita di conduzione e perdita di commutazione (resistenza di ON × Qgd, ossia carica gate-drain), si è raggiunto un valore inferiore del 20% rispetto ai prodotti in versione standard con lo stesso package (1,0 mm × 0,6 mm o inferiore).

La struttura del package di ROHM dota di protezione isolante le pareti laterali (diversamente dai prodotti standard con lo stesso package privo di protezione). In tal modo si riduce il rischio di cortocircuiti dovuti al contatto fra componenti in dispositivi compatti costretti a ricorrere al montaggio ad alta densità a causa dei limiti di spazio, contribuendo così a un funzionamento più sicuro.

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