I nuovi MOSFET di potenza a canale N a 600 V di Toshiba

La nuova serie di MOSFET di potenza a canale N DTMOSVI a 600V di Toshiba Electronics Europe è basata su un processo di ultima generazione e utilizza una struttura a super giunzione. Il primo modello è siglato TK055U60Z1 ed è caratterizzato da una RDS(ON) di 55mΩ, che corrisponde a un miglioramento del 13% rispetto alle versioni della serie DTMOSIV-H. Inoltre l’azienda sottolinea che il parametro RDS(ON) x Q GD , che è indice delle prestazioni del MOSFET, risulta essere migliorato di circa il 52%. Le applicazioni di riferimento includono gli alimentatori a commutazione ad alta efficienza nei data center, i convertitori di potenza per generatori fotovoltaici e i gruppi di continuità.

La temperatura massima di canale (Tch) del nuovo prodotto è di 150°C. Il valore tipico di RDS(ON) di 47mΩ è definito da specifica con una tensione gate-source di 10V. I valori tipici di carica di gate totale (Qg), di carica di gate-drain (Qgd) e di capacità di ingresso (Ciss) sono rispettivamente di 65nC, 15nC e 3680pF.

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