I nuovi MOSFET di potenza a canale N a 600 V di Toshiba

La nuova serie di MOSFET di potenza a canale N DTMOSVI a 600V di Toshiba Electronics Europe è basata su un processo di ultima generazione e utilizza una struttura a super giunzione. Il primo modello è siglato TK055U60Z1 ed è caratterizzato da una RDS(ON) di 55mΩ, che corrisponde a un miglioramento del 13% rispetto alle versioni della serie DTMOSIV-H. Inoltre l’azienda sottolinea che il parametro RDS(ON) x Q GD , che è indice delle prestazioni del MOSFET, risulta essere migliorato di circa il 52%. Le applicazioni di riferimento includono gli alimentatori a commutazione ad alta efficienza nei data center, i convertitori di potenza per generatori fotovoltaici e i gruppi di continuità.

La temperatura massima di canale (Tch) del nuovo prodotto è di 150°C. Il valore tipico di RDS(ON) di 47mΩ è definito da specifica con una tensione gate-source di 10V. I valori tipici di carica di gate totale (Qg), di carica di gate-drain (Qgd) e di capacità di ingresso (Ciss) sono rispettivamente di 65nC, 15nC e 3680pF.

Contenuti correlati

• 
  Infineon presenta i MOSFET di potenza OptiMOS 7 a 15 V

  Infineon Technologies ha presentato la sua nuova famiglia OptiMOS 7, una serie di MOSFET di potenza trench a 15 V che si rivolge principalmente alla conversione DC-DC ottimizzata per server, computing, data center e applicazioni di intelligenza...
• 
  Disponibile da Farnell la gamma di MOSFET di potenza di Toshiba

  Farnell ha aggiunto alla sua offerta oltre 250 nuovi prodotti Toshiba, tra cui una nuova gamma di MOSFET di potenza a canale N. I nuovi prodotti aggiunti sono relativi sia all’alta tensione, circa 600V-650V, sia alla bassa...
• 
  Nexperia e Mitsubishi Electric siglano una partnership strategica per i MOSFET SiC

  Nexperia ha annunciato di aver stretto una partnership strategica con Mitsubishi Electric Corporation per lo sviluppo congiunto di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Questa collaborazione vedrà Nexperia e Mitsubishi Electric unire le forze per migliorare l’efficienza...
• 
  Due nuove schede di espansione di MIKROE per provare gli isolatori digitali di Toshiba

  MikroElektronika (MIKROE) ha realizzato due nuove schede di espansione che consentono di valutare le funzionalità principali dei nuovi isolatori digitali DCL54xx01 di Toshiba Electronics Europe. Le schede Click DIGI Isolator e Click SPI Isolator 5 consentono infatti...
• 
  Toshiba presenta nuovi dispositivi IPD da 600V per motori BLDC

  Toshiba Electronics Europe ha annunciato nuovi prodotti nella sua gamma di dispositivi di potenza intelligenti (IPD) per le applicazioni di azionamento dei motori DC senza spazzole (BLDC). I nuovi modelli TPD4163K e TPD4164K sono complementari ai dispositivi...
• 
  Nuovi MOSFET duali a bassa resistenza di ON da ROHM

  ROHM propone cinque nuovi modelli di MOSFET delle serie HP8KEx/HT8KEx e HP8MEx. Si tratta di componenti duali che integrano in un unico package due chip da 100 V e sono utilizzabili per il pilotaggio dei motori delle...
• 
  Utensili cordless: tendenze e requisiti da considerare in fase di progettazione

  Gli utensili cordless sono molto diffusi,  perché ovviamente eliminano la presenza di fastidiosi cavi e la necessità di cercare prese. La tendenza è quindi verso gli utensili a batteria. Tuttavia, affinché questi apparecchi offrano anche le prestazioni desiderate,...
• 
  Sei nuovi dispositivi Thermoflagger da Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua gamma di circuiti integrati Thermoflagger con sei nuovi dispositivi. Questi componenti sono destinati al rilevamento della sovratemperatura e, in combinazione con i termistori a coefficiente termico positivo (PTC), permettono di...
• 
  Interruttori di potenza per la gestione dei carichi industriali: criteri di scelta

  Una panoramica dei criteri chiave che i progettisti devono tenere in considerazione nella scelta di un interruttore di potenza destinato ad applicazioni in campo industriale Leggi l’articolo completo su EO 512
• 
  Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200V

  Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky (SBD) integrato. Questi componenti sono utilizzabili per applicazioni a 1500V DC come, per esempio, gli inverter fotovoltaici, i caricabatterie per i veicoli elettrici,...