Infineon presenta i MOSFET di potenza OptiMOS 7 a 15 V

Infineon Technologies ha presentato la sua nuova famiglia OptiMOS 7, una serie di MOSFET di potenza trench a 15 V che si rivolge principalmente alla conversione DC-DC ottimizzata per server, computing, data center e applicazioni di intelligenza artificiale.

L’offerta di prodotti comprende modelli con package PQFN Source-Down da 3,3×3,3 mm², con varianti bottom e dual-side per il raffreddamento. Il portafoglio comprende anche una variante PQFN da 2×2 mm² con clip rinforzata.

La tecnologia OptiMOS 7 a 15 V è specificamente studiata per le sistemi di conversione DC-DC con basse tensioni di uscita. Infineon sottolinea che questa innovazione è in linea con gli attuali trend per la conversione DC-DC nei data center.

Rispetto al precedente modello OptiMOS5 a 25 V, il nuovo OptiMOS 7 a 15 V è caratterizzato da una riduzione di RDS(on) e FOMQ_g di circa il 30% e FOMQ_OSS di circa 50% abbassando la tensione di breakdown. Le varianti del contenitore Source-Down PQFN da 3,3 x 3,3 mm² offrono una maggiore versatilità per il design del PCB. Inoltre, il contenitore PQFN 2 x 2 mm² fornisce una capacità  superiore a 500 A per la corrente pulsata e un valore R _thJC tipico di 1,6 K/W.

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