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Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200VToshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky...
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Da Toshiba un compatto MOSFET a canale N common-drainToshiba Electronics Europe ha presentato SSM14N956L, un MOSFET a canale N common-drain a 12V...
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I nuovi MOSFET di potenza a canale N a 600 V di ToshibaLa nuova serie di MOSFET di potenza a canale N DTMOSVI a 600V di...
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Magnachip avvia la produzione in serie di MOSFET MXT a 40 V per i sistemi di energy recoveryMagnachip Semiconductor ha avviato la produzione in serie del suo nuovo MOSFET MXT da...
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Condensatori ceramici multistrato (MLCC) da 150 °C per gruppi propulsori operanti ad alta temperaturaI condensatori ceramici multistrato (MLCC) delle serie X8L e X8G di Samsung Electro-Mechanics garantiscono...
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Migliorare il progetto del sistema di alimentazione con la tecnologia DrMOSQuesto articolo descrive la recentissima tecnologia driver + MOSFET (DrMOS) e i relativi vantaggi...
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I MOSFET SiC Toshiba di terza generazione disponibili da FarnellFarnell ha annunciato la disponibilità della terza generazione di MOSFET in carburo di silicio...
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Convertitori c.c./c.c. per gate driver: criteri di sceltaDagli alimentatori agli azionamenti per motore, dalle stazioni di ricarica a una miriade di...
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La progettazione dei circuiti elettroniciIn questo articolo, dopo l’esposizione dei principi base della progettazione e dell’analisi dei circuiti...
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I MOSFET SiC di ROHM di quarta generazione per gli inverter Hitachi AstemoI nuovi MOSFET SiC di quarta generazione e i gate driver di ROHM sono...
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Nuovo MOSFET di ROHM per dispositivi piccoli e sottiliROHM ha sviluppato un MOSFET a canale N da 20 V caratterizzato da una...
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Raffreddamento sul lato superiore per i nuovi MOSFET di onsemiPresso lo stand onsemi, a electronica 2022, i visitatori possono vedere i nuovi dispositivi...
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GaN e silicio: la sfidaLa tecnologia GaN continuerà a migliorare in termini di prestazioni e costi, mentre i...
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Nexperia presenta MOSFET a 12 e 30 V per applicazioni con spazio limitatoNexperia ha introdotto i trench MOSFET a canale N PMCB60XN e PMCB60XNE a 30...
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Nuovo MOSFET a 24V da MagnachipMagnachip Semiconductor ha presentato un nuovo MOSFET a 24V utilizzabile per gli auricolari wireless....
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