Ottimizzazione di inverter basati su dispositivi in GaN per il pilotaggio di motori BLDC

Dalla rivista:
EO Power

 
Pubblicato il 13 febbraio 2024

Grazie alle superiori prestazioni di commutazione dei dispositivi in GaN, gli inverter che li utilizzano possono essere ottimizzati riducendo il numero di componenti, diminuendo così il volume complessivo dell’inverter rispetto a quelli basati su MOSFET a bassa frequenza di commutazione

Leggi l’articolo completo su EO Power33

Federico Unnia, Application Engineer, Motor Drive Design Center - EPC



Contenuti correlati

  • Infineon
    Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 7 da 80 V per applicazioni automotive

    Infineon Technologies ha introdotto il primo prodotto nella sua nuova tecnologia MOSFET OptiMOS 7 80 V. Siglato IAUCN08S7N013, il nuovo componente offre una densità di potenza particolarmente elevata ed è disponibile nel package SMD SSO8 5 x...

  • Infineon
    Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 6 da 200 V

    Infineon Technologies ha annunciato la famiglia di MOSFET OptiMOS 6 da 200 V. La nuova gamma è progettata per offrire prestazioni ottimali in applicazioni quali scooter elettrici, micro-veicoli elettrici e carrelli elevatori elettrici. Il produttore precisa che...

  • Cinque semplici passaggi per rendere più sicura e affidabile la ricarica dei veicoli elettrici

    Con l’aumento del numero di veicoli elettrici in circolazione, cresce anche l’importanza di verificare le stazioni di ricarica, per assicurarsi che siano sempre pronte a essere utilizzate in totale sicurezza Leggi l’articolo completo su EO Power33

  • Nuove funzioni per i convertitori DC-DC ad ampio ingresso per applicazioni ferroviarie

    Un’analisi delle trasformazioni delle più recenti architetture di conversione DC-DC, indispensabili per soddisfare la rapida evoluzione dell’infrastruttura ferroviaria Leggi l’articolo completo su EO Power33

  • Soppressione del rumore acustico negli alimentatori a commutazione

    Alcuni semplici suggerimenti per identificare i componenti che fungono da sorgenti di rumore e gli approcci da utilizzare per minimizzare o eliminare i fastidiosi suoni che possono essere generati dagli SMPS Leggi l’articolo completo su EO Power33

  • Dispositivi di potenza a semiconduttore: una panoramica

    Questo articolo è una panoramica sui dispositivi di potenza a semiconduttore e sul relativo potenziale applicativo nei sistemi e apparati elettronici in termini di prestazioni alle alte tensioni, alte correnti, densità di potenza e velocità di commutazione...

  • Soluzioni compatte ed efficienti per la gestione dell’alimentazione

    La tendenza più recente dei circuiti integrati per la gestione dell’alimentazione è basata sullo sviluppo di soluzioni compatte con elevato grado di integrazione e in grado di aumentare l’efficienza energetica riducendo il consumo di energia e migliorando...

  • Toshiba Electronics Europe
    Toshiba introduce nuovi MOSFET a canale P

    Toshiba Electronics Europe ha annunciato due nuovi MOSFET a canale P da 60V basati sul processo U-MOS VI dell’azienda. I nuovi MOSFET XPH8R316MC e XPH13016MC sono qualificati in conformità allo standard AEC-Q101 per l’affidabilità automotive. Le connessioni...

  • ROHM
    ROHM: nuova line-up di MOSFET da 600 V compatti

    ROHM ha aggiunto alla sua offerta una line-up di MOSFET Super Junction compatti da 600 V. I modelli sono siglati rispettivamente R6004END4, R6003KND4, R6006KND4, R6002JND4 e R6003JND4. Si tratta di dispositivi utilizzabili per piccoli alimentatori per illuminazione,...

  • Infineon Technologies
    Infineon presenta i MOSFET di potenza OptiMOS 7 a 15 V

    Infineon Technologies ha presentato la sua nuova famiglia OptiMOS 7, una serie di MOSFET di potenza trench a 15 V che si rivolge principalmente alla conversione DC-DC ottimizzata per server, computing, data center e applicazioni di intelligenza...

Scopri le novità scelte per te x