Nuovi MOSFET duali a bassa resistenza di ON da ROHM
![ROHM](https://elettronica-plus.it/wp-content/uploads/sites/2/2023/10/PressPicture_DualMOS_HP8MEx_HP8KEx_HT8KEx-300x217.jpg)
ROHM propone cinque nuovi modelli di MOSFET delle serie HP8KEx/HT8KEx e HP8MEx. Si tratta di componenti duali che integrano in un unico package due chip da 100 V e sono utilizzabili per il pilotaggio dei motori delle ventole di base station e apparecchiature industriali.
Entrambe le serie ottengono un valore di RDS(on) particolarmente basso e adottano nuovi package che offrono elevate caratteristiche di dissipazione termica. L’azienda precisa che il valore di RDS(on) subisce una riduzione massima nell’ordine del 56% rispetto ai MOSFET duali standard (19,6 mΩ per il modello HSOP8 e 57,0 mΩ per il modello HSMT8 a canale N + N), contribuendo così a diminuire sensibilmente il consumo di energia. Al tempo stesso l’abbinamento di due chip in un unico package determina un maggior risparmio di spazio, riducendo considerevolmente l’area di ingombro. Per esempio sostituendo due MOSFET TO-252 su singolo chip con un modello HSOP8, l’ingombro diminuisce del 77%.
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