Littelfuse: nuovo gate driver low-side per MOSFET SiC e IGBT

Pubblicato il 8 maggio 2024
LIttelfuse

Littelfuse ha annunciato il gate driver low-side IX4352NE, progettato specificamente per pilotare MOSFET in carburo di silicio (SiC) e IGBT ad alta potenza in applicazioni industriali.

Il produttore sottolinea che il nuovo gate driver si differenzia per le uscite separate da 9 A per la sorgente e per il sink, che consentono tempi di accensione e spegnimento personalizzati, riducendo al minimo le perdite di commutazione. Un regolatore interno fornisce inoltre una polarizzazione negativa del gate selezionabile dall’utente per migliorare l’immunità ai dV/dt e accelerare lo spegnimento. L’intervallo di tensione operativa (VDD – VSS) arriva fino a 35 V.

IX4352NE semplifica la progettazione dei circuiti e offre una elevata integrazione. Le funzioni di protezione integrate, come il rilevamento della desaturazione (DESAT) con driver sink a spegnimento soft, il blocco della sottotensione (UVLO) e lo spegnimento termico (TSD), assicurano la protezione del dispositivo di potenza e del driver. L’uscita open-drain FAULT integrata segnala una condizione di guasto al microcontroller, migliorando la sicurezza e l’affidabilità. Inoltre, IX4352NE consente di risparmiare spazio sulla scheda e di aumentare la densità dei circuiti.



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