I MOSFET SiC Toshiba di terza generazione disponibili da Farnell

Farnell ha annunciato la disponibilità della terza generazione di MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 650V e 1200V di Toshiba. Le strutture delle celle si basano su quelle utilizzate nei dispositivi Toshiba di seconda generazione, ottimizzando il processo avanzato SiC di terza generazione. Questi nuovi prodotti permettono, di ottenere un’efficienza maggiore, ridurre le dimensioni per le applicazioni industriali e ottenere un miglioramento fino all’80% delle perdite statiche e dinamiche. I nuovi MOSFET SiC sono utilizzabili per un’ampia gamma di applicazioni complesse, tra cui gli alimentatori a commutazione (SMPS) e i gruppi di continuità (UPS) per server, data center e apparecchiature di comunicazione. Altri utilizzi comprendono gli inverter fotovoltaici e i convertitori DC-DC bidirezionali utilizzati per la ricarica dei veicoli elettrici (EV).

Adrian Cotterill, Product Segment Leader, Transistors & WBG, di Farnell ha dichiarato: “Siamo impegnati a fornire ai nostri clienti i più recenti prodotti a semiconduttore e questi MOSFET SiC di terza generazione, ora disponibili a magazzino, rappresentano un significativo salto di qualità nella tecnologia di uno dei leader mondiali e dei maggiori investitori nella tecnologia di potenza discreta.”

I nuovi MOSFET SiC da 650V sono siglati rispettivamente TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C e TW107N65C. Quelli da 1200V, invece sono i modelli TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C e TW140N120C.

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