Tag per "sic"
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Il nuovo laboratorio di onsemi per il test di applicazioni per veicoli elettrici
onsemi ha aperto a Piestany (Slovacchia) un laboratorio destinato a favorire lo sviluppo di...
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Nexperia e Mitsubishi Electric siglano una partnership strategica per i MOSFET SiC
Nexperia ha annunciato di aver stretto una partnership strategica con Mitsubishi Electric Corporation per...
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Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200V
Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky...
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Toshiba: nuovi diodi Schottky SiC da 650V con tensione diretta di 1,2V
Toshiba Electronics Europe ha presentato dodici diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di...
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Da Microchip Technology la E-Fuse Demonstrator board
Microchip Technology ha presentato la E-Fuse Demonstrator Board, abilitata dalla tecnologia al carburo di...
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Tektronix annuncia una funzione di Double Pulse Test per accelerare i tempi di validazione di tecnologie SiC e GaN
Tektronix ha rilasciato una nuova versione del pacchetto software relativo alla funzione Double Pulse...
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onsemi e Sineng Electric collaborano per soluzioni ottimizzate per il fotovoltaico
onsemi ha comunicato la sua collaborazione con Sineng Electric per lo sviluppo di soluzioni...
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Nuovi dispositivi EliteSiC M3S da 1200 V da onsemi
onsemi ha presentato i dispositivi SiC da 1200 V della linea EliteSiC di ultima...
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Mouser Electronics: accordo di distribuzione con Navitas Semiconductor
Mouser Electronics ha siglato un accordo di distribuzione globale con Navitas Semiconductor, azienda focalizzata...
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I MOSFET SiC Toshiba di terza generazione disponibili da Farnell
Farnell ha annunciato la disponibilità della terza generazione di MOSFET in carburo di silicio...
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Diodes Incorporated rilascia i suoi primi diodi SBD SiC
Diodes Incorporated ha annunciato il rilascio dei suoi primi diodi a barriera Schottky (SBD)...
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Partnership fra Wolfspeed e ZF per i dispositivi SiC
Wolfspeed e ZF hanno stretto una partnership strategica per i futuri dispositivi a semiconduttore...
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I MOSFET SiC di ROHM di quarta generazione per gli inverter Hitachi Astemo
I nuovi MOSFET SiC di quarta generazione e i gate driver di ROHM sono...
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ROHM, Mazda e Imasen firmano un accordo congiunto
ROHM ha firmato un accordo di sviluppo congiunto con Mazda Motor Corporation (Mazda) e...
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Collaborazione fra Infineon e Stellantis per i SiC
Infineon Technologies ha comunicato di aver siglato con il colosso automobilistico Stellantis un memorandum...
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Una nuova scheda di riferimento FPGA da Arrow Electronics
Arrow Electronics ha rilasciato una scheda di riferimento FPGA per applicazioni industriali edge e...
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I connettori ad alta potenza RadLok di Amphenol Industrial disponibili da TTI
TTI Europe ha ampliato la sua offerta con i connettori ad alta potenza RadLok...
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MSO Serie 4 B: il nuovo oscilloscopio a segnali misti di Tektronix
Tektronix ha annunciato la disponibilità dell’oscilloscopio a segnali misti (MSO) Serie 4 B. L’azienda...
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MSO Serie 4 B: il nuovo oscilloscopio a segnali misti di Tektronix
Tektronix ha annunciato la disponibilità dell’oscilloscopio a segnali misti (MSO) Serie 4 B. L’azienda...
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Gateway per reti cellulari 5G private da Moxa
Moxa ha presentato ufficialmente i gateway cellulari industriali 5G della serie CCG-1500, in grado...
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binder: nuovi connettori M12 per cavi “K” e “L” a norma UL
binder ha aggiunto alla sua gamma di prodotti M12 dei nuovi connettori per cavi...