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onsemi ha aperto a Piestany (Slovacchia) un laboratorio destinato a favorire lo sviluppo di...

Nexperia ha annunciato di aver stretto una partnership strategica con Mitsubishi Electric Corporation per...

Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky...

Toshiba Electronics Europe ha presentato dodici diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di...

Microchip Technology ha presentato la E-Fuse Demonstrator Board, abilitata dalla tecnologia al carburo di...

Tektronix ha rilasciato una nuova versione del pacchetto software relativo alla funzione Double Pulse...

onsemi ha comunicato la sua collaborazione con Sineng Electric per lo sviluppo di soluzioni...

onsemi ha presentato i dispositivi SiC da 1200 V della linea EliteSiC di ultima...

Mouser Electronics ha siglato un accordo di distribuzione globale con Navitas Semiconductor, azienda focalizzata...

Farnell ha annunciato la disponibilità della terza generazione di MOSFET in carburo di silicio...

Diodes Incorporated ha annunciato il rilascio dei suoi primi diodi a barriera Schottky (SBD)...

Wolfspeed e ZF hanno stretto una partnership strategica per i futuri dispositivi a semiconduttore...

I nuovi MOSFET SiC di quarta generazione e i gate driver di ROHM  sono...

ROHM  ha firmato un accordo di sviluppo congiunto con Mazda Motor Corporation (Mazda) e...

Infineon Technologies ha comunicato di aver siglato con il colosso automobilistico Stellantis un memorandum...