La progettazione dei circuiti elettronici

Dalla rivista:
Elettronica Oggi

In questo articolo, dopo l’esposizione dei principi base della progettazione e dell’analisi dei circuiti elettronici, verrà fornita
una sintetica descrizione della progettazione elettronica assistita da computer
Leggi l’articolo completo su EO 507
Fulvio De Santis
Contenuti correlati
-
Infineon presenta i MOSFET di potenza OptiMOS 7 a 15 V
Infineon Technologies ha presentato la sua nuova famiglia OptiMOS 7, una serie di MOSFET di potenza trench a 15 V che si rivolge principalmente alla conversione DC-DC ottimizzata per server, computing, data center e applicazioni di intelligenza...
-
TI espande la sua gamma di FET GaN
Texas Instruments (TI) ha annunciato di aver ampliato la sua gamma di prodotti basati su tecnologia GaN con nuovi FET con gate driver integrati, tra cui i dispositivi LMG3622, LMG3624 e LMG3626, che permettono di raggiungere velocità...
-
Disponibile da Farnell la gamma di MOSFET di potenza di Toshiba
Farnell ha aggiunto alla sua offerta oltre 250 nuovi prodotti Toshiba, tra cui una nuova gamma di MOSFET di potenza a canale N. I nuovi prodotti aggiunti sono relativi sia all’alta tensione, circa 600V-650V, sia alla bassa...
-
Nexperia e Mitsubishi Electric siglano una partnership strategica per i MOSFET SiC
Nexperia ha annunciato di aver stretto una partnership strategica con Mitsubishi Electric Corporation per lo sviluppo congiunto di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Questa collaborazione vedrà Nexperia e Mitsubishi Electric unire le forze per migliorare l’efficienza...
-
Nuovi MOSFET duali a bassa resistenza di ON da ROHM
ROHM propone cinque nuovi modelli di MOSFET delle serie HP8KEx/HT8KEx e HP8MEx. Si tratta di componenti duali che integrano in un unico package due chip da 100 V e sono utilizzabili per il pilotaggio dei motori delle...
-
Utensili cordless: tendenze e requisiti da considerare in fase di progettazione
Gli utensili cordless sono molto diffusi, perché ovviamente eliminano la presenza di fastidiosi cavi e la necessità di cercare prese. La tendenza è quindi verso gli utensili a batteria. Tuttavia, affinché questi apparecchi offrano anche le prestazioni desiderate,...
-
Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200V
Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky (SBD) integrato. Questi componenti sono utilizzabili per applicazioni a 1500V DC come, per esempio, gli inverter fotovoltaici, i caricabatterie per i veicoli elettrici,...
-
Da Toshiba un compatto MOSFET a canale N common-drain
Toshiba Electronics Europe ha presentato SSM14N956L, un MOSFET a canale N common-drain a 12V e 20A, da utilizzare nei circuiti di protezione dei battery pack agli ioni di litio, come quelli comunemente utilizzati per smartphone, tablet, power...
-
I nuovi MOSFET di potenza a canale N a 600 V di Toshiba
La nuova serie di MOSFET di potenza a canale N DTMOSVI a 600V di Toshiba Electronics Europe è basata su un processo di ultima generazione e utilizza una struttura a super giunzione. Il primo modello è siglato...
-
Magnachip avvia la produzione in serie di MOSFET MXT a 40 V per i sistemi di energy recovery
Magnachip Semiconductor ha avviato la produzione in serie del suo nuovo MOSFET MXT da 40 V per i sistemi energy recovery automotive. Il MOSFET MXT AMDU040N014VRH offre RDS(on) a partire da 1,4 mΩ e consente un efficace...