I MOSFET SiC di ROHM di quarta generazione per gli inverter Hitachi Astemo

I nuovi MOSFET SiC di quarta generazione e i gate driver di ROHM  sono stati scelti da Hitachi Astemo, azienda che sviluppa da diversi anni tecnologie avanzate per motori e inverter per veicoli.

I MOSFET SiC di quarta generazione di ROHM forniscono un tempo di tenuta al cortocircuito ottimizzato in concomitanza con una resistenza di ON particolarmente bassa e consentono quindi l’estensione dell’autonomia di crociera dei veicoli elettrici riducendo del 6% il consumo di energia rispetto agli IGBT quando vengono installati nell’inverter principale.

Questa è la prima volta che i dispositivi SiC saranno adottati per il circuito inverter principale allo scopo di migliorarne ulteriormente le prestazioni. La fornitura degli inverter alle case automobilistiche è prevista con decorrenza dal 2025, iniziando dal Giappone per poi diffondersi all’estero.

Contenuti correlati

• 
  SiCrystal realizza un nuovo edificio per aumentare la produzione di wafer SiC

  SiCrystal, una filiale del gruppo ROHM, produce wafer in carburo di silicio monocristallino (SiC) e ha recentemente annunciato la creazione di un nuovo spazio destinato alla produzione, direttamente di fronte al sito già esistente. Il nuovo edificio...
• 
  I vantaggi dell’analogico e del digitale per la soluzione LogiCoA di ROHM

  ROHM ha creato LogiCoA, una innovativa soluzione di alimentazione per apparecchiature industriali e consumer di piccola e media potenza (da 30 W a 1 kW) che fornisce le stesse funzionalità degli alimentatori con controllo completamente digitale a...
• 
  ROHM: TRCDRIVE pack per ridurre le dimensioni degli inverter dei veicoli elettrici

  ROHM, nell’ambito della gamma TRCDRIVE pack, ha sviluppato quattro modelli con moduli SiC 2 in 1. Si tratta di due varianti da 750 V nominali (BSTxxxD08P4A1x4) e due varianti da 1.200 V nominali (BSTxxxD12P4A1x1) ottimizzati per gli...
• 
  onsemi investe in Repubblica Ceca per ampliare la produzione SiC

  onsemi  realizzerà in Repubblica Ceca un impianto per la produzione di componenti in carburo di silicio (SiC). Il sito produrrà i semiconduttori di potenza necessari per migliorare l’efficienza energetica delle applicazioni nei veicoli elettrici, nelle energie rinnovabili...
• 
  WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK

  WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) nel packaging TSPAK che offre prestazioni termiche particolarmente interessanti. L’evento di Norimberga è...
• 
  Tre nuovi resistori di shunt da ROHM

  ROHM ha aggiunto tre nuovi modelli alla sua gamma di resistori di shunt a elemento metallico standard PMR100. Si tratta di prodotti con una potenza nominale di 5 W e valori di resistenza di 0,5, 1,0 e...
• 
  STMicroelectronics ha scelto Catania per il suo impianto produttivo per SiC

  STMicroelectronics realizzerà a Catania un nuovo impianto per la produzione in grandi volumi di substrati SiC da 200 mm destinati a dispositivi e moduli di potenza, ma anche per implementare attività di test e packaging. L’azienda precisa...
• 
  In mostra a PCIM Europe 2024 le soluzioni di potenza EcoGaN e SiC di ROHM

  In occasione dell’edizione di quest’anno di PCIM Europe, la manifestazione che si terrà a Norimberga dal 11 al 13 giugno, ROHM presenterà le sue nuove soluzioni di semiconduttori di potenza, con un’attenzione particolare ai dispositivi wide bandgap....
• 
  Da ROHM un amplificatore operazionale a basso consumo

  ROHM ha sviluppato un amplificatore operazionale lineare caratterizzato da un consumo di corrente particolarmente basso, pari a 160 nA. Il modello LMR1901YG-M può essere utilizzato per amplificare i segnali dei sensori che rilevano e misurano temperatura, velocità...
• 
  Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 7 da 80 V per applicazioni automotive

  Infineon Technologies ha introdotto il primo prodotto nella sua nuova tecnologia MOSFET OptiMOS 7 80 V. Siglato IAUCN08S7N013, il nuovo componente offre una densità di potenza particolarmente elevata ed è disponibile nel package SMD SSO8 5 x...