Vishay Intertechnology: power Mosfet TrenchFET n-channel 20 V

Pubblicato il 4 marzo 2015

Vishay Intertechnology ha annunciato un nuovo Mosfet di potenza n-channel a 20 V con tecnologia TrenchFET e funzionalità termiche avanzate PowerPAK. La Vishay Siliconix SiA466EDJ fornisce maggiore densità di potenza e affidabilità per la gestione dell’alimentazione in progetti di apparecchiature portatili, in un package di 2 mm x 2 millimetri, corrente di drain max 25 A e protezione ESD a 2500 V. Il valore della corrente di drain è del 13% superiore rispetto al dispositivo concorrente più vicino. Nelle applicazioni di commutazione di carico, il Mosfet prevede un margine di sicurezza aggiuntivo per le grandi correnti di spunto e le condizioni di guasto da cortocircuito. La protezione ESD previene i danni statici dalla manipolazione o contatto con il corpo umano. La bassa resistenza di 9.5 mΩ (10 V), 11.1 mΩ (6 V) e 13.0 mΩ (4.5 V) riduce le perdite di conduzione, mentre la sua carica di gate tipica di 6.3 nC e resistenza di gate di 0,9 Ω minimizzano le perdite di commutazione.



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