Un nuovo FET eGaN da EPC per sistemi ad alta densità di potenza

Efficient Power Conversion Corporation (EPC) ha ampliato la sua offerta di transistor a bassa tensione in nitruro di gallio con il nuovo FET GaN EPC2066.

Questo componente, realizzato con la tecnologia enhancement-mode in nitruro di gallio (eGaN), è particolarmente compatto e interessante per funzionare come commutatore nel ramo secondario dei convertitori di potenza DC-DC ad alta densità da 40 V – 60 V a 12 V che vengono richiesti nei più recenti server per applicazioni di intelligenza artificiale.

È anche una soluzione utilizzabile per il ramo secondario dei rettificatori sincroni presenti negli alimentatori a 12 V usati nei server compatti per data center e negli azionamenti ad alta densità per motori elettrici da 24 V – 32 V.

La capacità di funzionare ad alta frequenza e l’elevato rendimento, unita al suo formato da 13,9 mm2, rende questo transistor FET GaN una soluzione interessante per i sistemi elettronici di potenza ad alta densità.

Il transistor EPC2066 ha un formato compatibile con quello del precedente dispositivo Generation 4 di EPC, il modello EPC2024. I miglioramenti introdotti con la tecnologia Generation 5 permettono al transistor EPC2066 di ottenere una riduzione 27% della resistenza di conduzione a parità di area occupata.

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