GaN per il controllo motore

Dalla rivista:
EO Power

 
Pubblicato il 12 maggio 2023

Il silicio (Si) ha raggiunto i suoi limiti teorici nelle applicazioni di potenza, richiedendo così nuovi materiali che presentino una maggiore efficienza, una migliore gestione termica e, possibilmente, permettano di ridurre i costi e le dimensioni. Il nitruro di gallio è uno dei candidati più promettenti

Leggi l’articolo completo su EOPOWER 31

Maurizio Di Paolo Emilio



Contenuti correlati

  • Analog Devices
    Analog Devices: un nuovo driver per il controllo dei FET GaN

    LT8418 è un nuovo driver GaN half-bridge da 100 V di Analog Devices progettato per semplificare l’implementazione dei FET GaN. Questo componente può essere configurato in topologie sincrone half-bridge e full-bridge, oppure in topologie buck, boost e...

  • TEXAS INSTRUMENTS
    Nuove gamme di dispositivi GaN da Texas Instruments

    Texas Instruments (TI) ha presentato due nuove gamme di dispositivi di conversione di potenza che consentono di ottenere maggiori densità di potenza. I nuovi stadi di potenza integrati al nitruro di gallio (GaN) da 100 V di...

  • Ottimizzazione di inverter basati su dispositivi in GaN per il pilotaggio di motori BLDC

    Grazie alle superiori prestazioni di commutazione dei dispositivi in GaN, gli inverter che li utilizzano possono essere ottimizzati riducendo il numero di componenti, diminuendo così il volume complessivo dell’inverter rispetto a quelli basati su MOSFET a bassa...

  • Diagnostica di carico avanzata per ridurre i tempi di downtime

    Il rilevamento della corrente è una soluzione diagnostica del carico che, una volta aggiunta a una rete di distribuzione della potenza 24 VCC, permette di migliorare la raccolta dei dati, rendendo possibile diagnosticare correnti di sovraccarico, rotture...

  • Implementazione di un master IO-Link con temporizzazione deterministica

    Questo articolo affronterà l’argomento dell’implementazione di master IO-Link ad alte prestazioni in sistemi industriali per ottenere tempi di ciclo precisi e latenza deterministica Leggi l’articolo completo su Embedded 91

  • Renesas Electronics
    Renesas Electronics acquisirà Transphorm

    Renesas Electronics e Transphorm, produttore di semiconduttori di potenza GaN, hanno annunciato di aver stipulato un accordo definitivo in base al quale una controllata di Renesas acquisirà tutte le azioni ordinarie di Transphorm. La transazione valuta Transphorm...

  • Texas Instruments
    Texas Instruments presenta nuovi chip automotive

    Texas Instruments (TI) ha presentato a CES2024  i suoi nuovi semiconduttori progettati per migliorare la sicurezza e l’intelligenza nel settore automotive. Il chip sensore radar a onde millimetriche AWR2544 a 77 GHz è il primo nel settore...

  • TI
    TI espande la sua gamma di FET GaN

    Texas Instruments (TI) ha annunciato di aver ampliato la sua gamma di prodotti basati su tecnologia GaN con nuovi FET con gate driver integrati, tra cui i dispositivi LMG3622, LMG3624 e LMG3626, che permettono di raggiungere velocità...

  • Innoscience Technology
    Legrand adotta la tecnologia GaN di Innoscience

    Innoscience Technology ha annunciato che la multinazionale Legrand, specializzata in infrastrutture elettriche e digitali per l’edilizia, utilizzerà i dispositivi InnoGaN nelle nuove prese elettriche per utenze domestiche per soddisfare il crescente fabbisogno di potenza di dispositivi come...

  • 2024: buone prospettive per i semiconduttori

    Il mercato globale dei semiconduttori si trova in una fase di solida inversione di tendenza. Questa è l’opinione degli analisi di WSTS,  che hanno rivisto al rialzo i dati relativi alla crescita del 2° trimestre 2023 rispetto...

Scopri le novità scelte per te x