MACOM punta su GaN-on-silicon in applicazioni commerciali

Tra i recenti annunci, un transistor di potenza per estendere l’adozione dell’energia RF in forni a microonde, sistemi di essiccamento e apparecchiature medicali per l’ablazione di tessuti e tumori

La transizione dalla tecnologia basata su arseniuro di gallio (GaAs – Gallium Arsenide) verso il nitruro di gallio GaN (Galliun Nitride), per soddisfare i requisiti applicativi in molteplici mercati, è uno dei processi che sta caratterizzando l’evoluzione di MACOM: a confermarlo una recente novità di prodotto, su cui la casa di Lowell, Massachusetts, ha posto l’accento in settimana, nel corso di una conferenza stampa a Monaco di Baviera.

Un momento della conferenza

Occasione che MACOM – attiva con design center, stabilimenti di produzione e test in Europa, Nord America, Asia e Australia, e fornitrice a livello globale di semiconduttori analogici RF per alta frequenza, microonde, onde millimetriche, e semiconduttori fotonici per numerose applicazioni – ha colto anche per tratteggiare la propria futura strategia.

Dapprima Markus Shaefer, direttore vendite a livello Emea, ha ricordato le numerose acquisizioni operate da MACOM nel campo RF e microonde (Mimix Broadband, Nitronex, IKE Micro, Aeroflex/Metelics), e sottolineato come nel comparto delle stazioni radiobase, proiettate verso frequenze sempre più elevate (con LTE e oltre), la società stia guidando la transizione dalla tecnologia LDMOS (laterally diffused MOSFET) verso GaN. Poi Shaefer ha subito concentrato l’attenzione sulle applicazioni dei semiconduttori GaN nel campo dell’energia RF.

Markus Shaefer, sales director Emea di MACOM

Il prodotto chiave in questo settore, annunciato a maggio, si chiama MAGe-102425-300, ed è basato sulla tecnologia GaN-on-Si (nitruro di gallio su substrato di silicio) di quarta generazione di MACOM che, mostra Shaefer, ha raggiunto una maturità e performance tali da sfidare sia le intrinseche limitazioni della tecnologia LDMOS in termini di efficienza e densità di potenza, sia gli inconvenienti, soprattutto a livello di costo, della tecnologia GaN-on-SiC (nitruro di gallio su carburo di silicio).

Abbinando le strutture di costo tipiche del silicio alle prestazioni della tecnologia GaN, MAGe-102425-300 può aprire, secondo MACOM, una grande opportunità di sfruttare l’energia RF a stato solido come fonte di potenza e riscaldamento precisa ed efficiente per un’ampia gamma di applicazioni commerciali. Fra queste ultime, in primo piano ci sono i forni a microonde, dove MAGe-102425-300 – un transistor di potenza ’robusto’ basato su tecnologia GaN-on-Silicon e dotato di un conveniente package in plastica ottimizzato per l’uso in applicazioni di largo consumo – punta a sostituire il classico sistema, basato su magnetron. E ciò anche grazie alla capacità di fornire una potenza di uscita di 300 W e un’efficienza del 70% a 2,45 GHz, parametri in grado di soddisfare i requisiti core proposti dalla RF Energy Alliance per la prossima generazione di amplificatori di potenza.

I possibili utilizzi di MAGe-102425-300 si estendono comunque a molti altri importanti ambiti, come i sistemi di accensione in campo automotive, i sistemi di essiccamento a radiofrequenza, gli impianti di illuminazione stradale, le applicazioni scientifiche e medicali. Fra queste ultime, vi sono le apparecchiature che utilizzano la tecnologia RF per eseguire l’ablazione di tumori o tessuti corporei.

Giorgio Fusari

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