I nuovi raddrizzatori SiGe di Nexperia

Nexperia ha annunciato una gamma di raddrizzatori in silicio/germanio (SiGe) con tensioni inverse di 120 V, 150 V e 200 V che combinano l’elevata efficienza delle loro controparti Schottky con la stabilità termica dei diodi fast recovery .

Destinati ai segmenti automotive, delle infrastrutture per comunicazione e dei server, questi nuovi componenti SiGe da 1-3 A sono particolarmente utili in applicazioni ad alta temperatura come l’illuminazione a LED, le unità di controllo de motori o l’iniezione di carburante.

Grazie a una bassa tensione diretta (Vf) e un basso Qrr, i raddrizzatori SiGe offrono un vantaggio del 10-20% in termini di riduzione delle perdite di conduzione.

I dispositivi PMEG SiGe (PMEGxGxELR/P) utilizzano package CFP3 e CFP5 e, grazie alla presenza di una clip in rame, la resistenza termica dei package è limitata e il trasferimento del calore nell’ambiente è ottimizzato, consentendo di realizzare progetti PCB piccoli e compatti.

I primi quattro raddrizzatori SiGe a 120 V con certificazione AEC-Q101 sono già in produzione in serie. Altri otto dispositivi a 150 V e 200 V sono in fase di campionamento.

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