Nexperia presenta MOSFET a 12 e 30 V per applicazioni con spazio limitato

Nexperia ha introdotto i trench MOSFET a canale N PMCB60XN e PMCB60XNE a 30 V nel package ultracompatto DSN1006 per applicazioni dove lo spazio è limitato e l’autonomia della batteria è un fattore fondamentale .
I nuovi MOSFET sono particolarmente interessanti per dispositivi altamente miniaturizzati come smartphone, smartwatch, apparecchi acustici e auricolari.
PMCB60XN e PMCB60XNE hanno un RDS(on) massimo rispettivamente di 50 mΩ e 55 mΩ, a VGS = 4,5 V. Inoltre, il modello PMCB60XNE è dotato di protezione ESD classificata a 2kV (modello del corpo umano – HBM) integrata. Entrambi i MOSFET sono classificati per drain current fino a 4 A.
Oltre a questi due MOSFET con package DSN1006, Nexperia ha introdotto anche il modello PMCA14UN, un MOSFET trench a canale N a 12 V con un package DSN1010. Con un RDS(on) massimo di 16 mΩ a VGS = 4,5 V, PMCA14UN offre un’elevata efficienza.

I nuovi MOSFET di Nexperia sono già in produzione e disponibili.

Contenuti correlati

• 
  Protezione ESD per le reti automotive a 24 V da Nexperia

  Nexperia ha introdotto sei dispositivi di protezione ESD (PESD2CANFD36XX-Q) qualificati AEC-Q101 e progettati per proteggere le linee bus nelle reti automotive (IVN) come LIN, CAN, CAN-FD, FlexRay e SENT dai danni causati da scariche elettrostatiche (ESD) e...
• 
  Convertitori c.c./c.c. per gate driver: criteri di scelta

  Dagli alimentatori agli azionamenti per motore, dalle stazioni di ricarica a una miriade di altre applicazioni, i semiconduttori di potenza a commutazione, come i MOSFET realizzati in silicio (Si), carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio...
• 
  La progettazione dei circuiti elettronici

  In questo articolo, dopo l’esposizione dei principi base della progettazione e dell’analisi dei circuiti elettronici, verrà fornita una sintetica descrizione della progettazione elettronica assistita da computer Leggi l’articolo completo su EO 507
• 
  I MOSFET SiC di ROHM di quarta generazione per gli inverter Hitachi Astemo

  I nuovi MOSFET SiC di quarta generazione e i gate driver di ROHM  sono stati scelti da Hitachi Astemo, azienda che sviluppa da diversi anni tecnologie avanzate per motori e inverter per veicoli. I MOSFET SiC di...
• 
  Nuovo MOSFET di ROHM per dispositivi piccoli e sottili

  ROHM ha sviluppato un MOSFET a canale N da 20 V caratterizzato da una elevata efficienza e particolarmente compatto, il modello RA1C030LD. Questo nuovo componente è ottimizzato per la commutazione in dispositivi piccoli e sottili, compresi smartphone...
• 
  Nexperia presenta i nuovi ASFET per applicazioni hotswap e soft start a 12 V

  Nexperia ha esteso il suo portafoglio di ASFET (MOSFET Application Specific) per hotswap e soft start con l’introduzione di 10 nuovi dispositivi a 25 V e 30 V. Questi componenti ottimizzati combinano prestazioni SOA (safe operating area)...
• 
  Raffreddamento sul lato superiore per i nuovi MOSFET di onsemi

  Presso lo stand onsemi, a electronica 2022, i visitatori possono vedere i nuovi dispositivi MOSFET con raffreddamento sulla parte superiore concepiti per semplificare il lavoro dei progettisti che sviluppano applicazioni particolarmente complesse in campo automotive, come il...
• 
  GaN e silicio: la sfida

  La tecnologia GaN continuerà a migliorare in termini di prestazioni e costi, mentre i consolidati MOSFET al silicio non possono evolversi di molto, perché i limiti del cristallo di silicio sono stati raggiunti diversi anni fa   ...
• 
  Nuovo MOSFET a 24V da Magnachip

  Magnachip Semiconductor ha presentato un nuovo MOSFET a 24V utilizzabile per gli auricolari wireless. Il nuovo componente soddisfa l’obiettivo dei progettisti di prolungare la durata della batteria dopo una ricarica rapida. Il design della terminazione e dei...
• 
  I MOSFET in package DFN0603 di Nexperia

  Nexperia ha rilasciato una nuova gamma di MOSFET da 20 V e 30 V nel package DFN0603. Il produttore offre già dispositivi di protezione ESD in questo formato, ma ora è riuscito a realizzare dei MOSFET con...