EPC: un progetto di riferimento per amplificatori audio di classe D
EPC9192 è la sigla di un progetto di riferimento di EPC per la realizzazione di amplificatori audio di classe D particolarmente potenti, compatti ed efficienti. Le alte prestazioni sono legate a un design modulare, che facilita la personalizzazione, ma anche all’utilizzo di FET eGaN da 200 V di EPC, il modello EPC2307. La topologia del progetto è quella Single-Ended (SE) e doppia alimentazione e permette di ottenere 700 W per canale su un carico di 4 Ω.
La scheda madre ospita due modulatori PWM e due doughterboard per stadi di potenza a mezzo ponte, che realizzano un amplificatore a due canali completo di sistema di alimentazione e protezioni. La flessibilità del progetto consente di personalizzare il modulatore PWM e lo stadio di potenza, facilitando la valutazione e il confronto di diversi dispositivi e tecniche di modulazione.
“Il progetto EPC9192 è uno strumento potente a disposizione dei progettisti di amplificatori audio che vogliono sfruttare i vantaggi della tecnologia GaN”, ha dichiarato Alex Lidow, CEO di EPC. “Grazie all’elevata densità di potenza e alla scalabilità, consente di realizzare rapidamente prototipi di amplificatori in classe D compatti e ad alte prestazioni”.
Contenuti correlati
-
Microchip Technology annuncia un progetto di riferimento Qi 2.0 basato su dsPIC33
Microchip Technology ha rilasciato un progetto di riferimento Qi 2.0 dual-pad wireless power transmitter, basato su un DSC (Digital Signal Controller) dsPIC33. Il produttore sottolinea che l’utilizzo di questo reference design aiuta a ridurre il rischio per...
-
Ottimizzazione di inverter basati su dispositivi in GaN per il pilotaggio di motori BLDC
Grazie alle superiori prestazioni di commutazione dei dispositivi in GaN, gli inverter che li utilizzano possono essere ottimizzati riducendo il numero di componenti, diminuendo così il volume complessivo dell’inverter rispetto a quelli basati su MOSFET a bassa...
-
EPC: nuovo reference design per inverter GaN-based
EPC ha annunciato la disponibilità del progetto di riferimento GaN-based di inverter per motori BLDC trifase EPC9194. L’inverter può essere alimentato con una tensione di ingresso compresa tra 14 V e 60 V ed eroga una corrente...
-
Da EPC un reference design con FET GaN
EPC9186 è una scheda che ospita un reference design di EPC per un inverter per motori BLDC trifase che utilizza i transistor FET eGaN EPC2302. La configurazione dell’inverter EPC9186 prevede infatti l’utilizzo di quattro transistor FET EPC2302...
-
Packaging di potenza per la nuova generazione di dispositivi di conversione in GaN
I transistor e i circuiti integrati in GaN inseriti in un package PQFN mantengono i vantaggi in termini di prestazioni e dimensioni degli analoghi dispositivi in formato WLCS, ampiamente utilizzati in applicazioni complesse come quelle automobilistiche, satellitari,...
-
GaN per il controllo motore
Il silicio (Si) ha raggiunto i suoi limiti teorici nelle applicazioni di potenza, richiedendo così nuovi materiali che presentino una maggiore efficienza, una migliore gestione termica e, possibilmente, permettano di ridurre i costi e le dimensioni. Il...
-
Reference design per un alimentatore GaN da 4 kW da Arrow Electronics, Nexperia e Yageo
Arrow Electronics, in collaborazione con Nexperia e Yageo, ha completato il progetto di riferimento di un alimentatore AC/DC con componenti GaN destinato alle applicazioni fino a 4 kW. Per realizzare il progetto, il team Arrow ha scelto...
-
EPC presenta un progetto di riferimento per convertitori di alimentazione USB PD 3.1
EPC9177 è la sigla di un nuovo progetto di riferimento di EPC per la realizzazione di convertitori DC-DC buck sincroni a controllo digitale e a uscita singola. Il progetto è basato su un circuito integrato eGaN che...
-
Da EPC una nuova generazione di dispositivi eGaN
EPC ha presentato EPC2619 , un nuovo dispositivo eGaN da 80 V e 4 mOhm. Si tratta del modello di punta di una nuova generazione di transistor caratterizzati da una densità di potenza doppia rispetto ai prodotti...
-
GaN e silicio: la sfida
La tecnologia GaN continuerà a migliorare in termini di prestazioni e costi, mentre i consolidati MOSFET al silicio non possono evolversi di molto, perché i limiti del cristallo di silicio sono stati raggiunti diversi anni fa ...