Protezione ESD per interfacce standard USB4 da Nexperia

Nexperia ha annunciato due diodi di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) basati sulla sua tecnologia TrEOS.

I dispositivi PESD5V0R1BxSF garantiscono l’integrità del segnale ottimale per le linee dati USB4 (fino a 2 x 20 Gbps) su laptop e periferiche, smartphone e altre apparecchiature elettroniche portatili.
PESD5V0R1BDSF è ottimizzato per il low clamping e offre valori di perdita di inserzione estremamente bassi (-0,28 dB a 10 GHz) e valori di perdita di ritorno altrettanto bassi di (-19 dB a 10 GHz).
PESD5V0R1BCSF, invece, è ottimizzato per le prestazioni RF con dati di perdita di inserzione di -0,25 dB e dati di perdita di ritorno di -19,4 dB a 10 GHz rispettivamente. Ciò lo rende particolarmente interessante per applicazioni con budget limitati in termini di perdite di inserzione e perdite di ritorno.
Entrambi i dispositivi sono alloggiati nel contenitore DSN0603-2 a bassissima induttanza (SOD962-2), con un ingombro standard di 0,6 mm x 0,3 mm e un profilo di 0,3 mm.

Per USB4 è obbligatorio avere condensatori di accoppiamento AC anche per gli ingressi del ricevitore (Rx). La tensione nominale VRWM dei dispositivi PESD5V0R1BxSF (>2,8 V) consente di posizionarli direttamente dietro il connettore. Questa tensione nominale li rende retrocompatibili con tutti gli standard che possono essere collegati tramite USB Type-C. Insieme a USB4, questo include USB 3.2, il vecchio USB3.x e le linee dati Thunderbolt e HDMI2.1 (in HDMI Alt Mode), con velocità dati HDMI2.1 supportate fino a 48 Gbps (4 x 12) e Thunderbolt fino a 40 Gbps (2 x 20).

Contenuti correlati

• 
  Partnership strategica tra Nexperia e KOSTAL

  Nexperia e KOSTAL hanno siglato una partnership strategica per lo sviluppo di dispositivi wide bandgap (WBG) in grado di soddisfare esattamente i requisiti delle applicazioni automotive. In base ai termini dell’accordo, Nexperia produrrà, svilupperà e fornirà dispositivi...
• 
  Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower

  Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
• 
  Nuovi diodi raddrizzatori da 650 V da Nexperia

  Nexperia ha rilasciato i sui nuovi diodi raddrizzatori da 650 V ospitati in packaging D2PAK Real-2-Pin (R2P) per l’uso in varie applicazioni automotive, industriali e di consumo, come per esempio i sistemi di ricarica, inverter e alimentatori...
• 
  Nexperia e Mitsubishi Electric siglano una partnership strategica per i MOSFET SiC

  Nexperia ha annunciato di aver stretto una partnership strategica con Mitsubishi Electric Corporation per lo sviluppo congiunto di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Questa collaborazione vedrà Nexperia e Mitsubishi Electric unire le forze per migliorare l’efficienza...
• 
  Mouser Electronics presenta le novità di Nexperia

  Mouser Electronics ha annunciato la disponibilità delle più recenti novità di Nexperia per quanto riguarda componenti discreti, dispositivi logici e MOSFET. La gamma di Nexperia, disponibile presso Mouser, comprende diodi, transistor bipolari, dispositivi di protezione dalle scariche...
• 
  Reference design per un alimentatore GaN da 4 kW da Arrow Electronics, Nexperia e Yageo

  Arrow Electronics, in collaborazione con Nexperia e Yageo, ha completato il progetto di riferimento di un alimentatore AC/DC con componenti GaN destinato alle applicazioni fino a 4 kW. Per realizzare il progetto, il team Arrow ha scelto...
• 
  Protezione ESD per le reti automotive a 24 V da Nexperia

  Nexperia ha introdotto sei dispositivi di protezione ESD (PESD2CANFD36XX-Q) qualificati AEC-Q101 e progettati per proteggere le linee bus nelle reti automotive (IVN) come LIN, CAN, CAN-FD, FlexRay e SENT dai danni causati da scariche elettrostatiche (ESD) e...
• 
  Nexperia presenta i nuovi ASFET per applicazioni hotswap e soft start a 12 V

  Nexperia ha esteso il suo portafoglio di ASFET (MOSFET Application Specific) per hotswap e soft start con l’introduzione di 10 nuovi dispositivi a 25 V e 30 V. Questi componenti ottimizzati combinano prestazioni SOA (safe operating area)...
• 
  Nexperia presenta MOSFET a 12 e 30 V per applicazioni con spazio limitato

  Nexperia ha introdotto i trench MOSFET a canale N PMCB60XN e PMCB60XNE a 30 V nel package ultracompatto DSN1006 per applicazioni dove lo spazio è limitato e l’autonomia della batteria è un fattore fondamentale . I nuovi...
• 
  I MOSFET in package DFN0603 di Nexperia

  Nexperia ha rilasciato una nuova gamma di MOSFET da 20 V e 30 V nel package DFN0603. Il produttore offre già dispositivi di protezione ESD in questo formato, ma ora è riuscito a realizzare dei MOSFET con...