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E
ONEWS ha chiesto ad Alfred
Hesener, responsabile Appli-
cations and Technical Marke-
ting di
per l’Europa, di fare il punto
sulla tecnologia SiC, sui pro-
getti dell’azienda per
questi componenti e
sulle applicazioni che
ne beneficeranno.
EONEWS:
Quali so-
no le condizioni del
mercato dei device
SiC e quali i princi-
pali trend per l’im-
mediato futuro?
HESENER:
Il merca-
to è in forte crescita,
i primi device sono
attualmente disponi-
bili e gli utenti stanno
comprendendo come utilizzarli
per ottimizzare le performance.
Nell’immediato futuro ci aspet-
tiamo che molti clienti rilascino i
loro primi prodotti high-end che
utilizzano switch SiC. La cresci-
ta del mercato sarà ampiamen-
te pilotata dai miglioramenti
nella produzione di switch dove
la maggior parte dei fornitori
sta ancora soffrendo a causa
di basse rese e costi elevati.
EONEWS:
Ci può fornire i
dettagli della roadmap di
Fairchild per la tecnologia e
i prodotti SiC?
HESENER:
Fairchild intende
rilasciare i primi switch BJT
(Bipolar junction transistor)
SiC nel 2013, con una com-
pleta qualificazione industriale,
per fare in modo che
questi prodotti incon-
trino le necessità dei
clienti del settore in-
dustriale per affidabi-
lità e robustezza.
Per il futuro intendia-
mo rilasciare solu-
zioni per moduli ad
alta potenza usan-
do switch BJT SiC.
Per gli switch è già
disponibile un mo-
dulo driver di base
“Plug&Play” e stiamo
lavorando sugli IC
driver. Entrambi rendono vera-
mente semplice l’implementa-
zione del circuito del driver per
alte performance.
EONEWS:
Quali sono i van-
taggi dei prodotti SiC di Fai-
rchild rispetto ai principali
competitor ?
HESENER:
Lo switch SiC di
Fairchild è un transistor bipo-
lare e non un MOSFET o un
JFET come accade per altri
produttori. Questo transistor è
unico, dato che le caratteristi-
che di conduzione assomiglia-
no a quelle dei MOSFET, ma
non c’è corrente di coda co-
me, per esempio, negli IGBT
al silicio. A questo va aggiunto
che le perdite di commutazio-
ne sono le più basse fra tutti
ha presentato la famiglia
di coprocessori crittografici
C29x. Si tratta, per ora, di
tre modelli, siglati rispet-
tivamente C291, C292 e
C293, destinati a siste-
mi aggregati come i data
center. La nuova linea di
componenti risponde alle
esigenze di assicurare
scalabilità nella gestione
della protezione del traf-
fico di rete, traffico che gli
analisti indicano essere in
enorme aumento nei pros-
simi anni. Come ha infatti
sottolineato Derek Phillips
di Freescale, la recente
raccomandazione del Na-
tional Institute of Standards
and Technology (NIST) di
passare entro il 2013 dal-
la crittografia RSA a 1048
bit a quella RSA a 2048 bit
si prevede che comporterà
infatti un aumento di 5 volte
dei requisiti di sicurezza di
rete, e a questo si aggiun-
gerà, in base ai dati degli
analisti, un incremento di
circa 18 volte del traffico
dati da dispositivi mobili
entro il 2016. Questi fat-
tori porteranno a richieste
di maggiori performance,
per esempio sul fronte del-
la scalabilità, da parte dei
coprocessori per la critto-
grafia che avranno un ruolo
sempre più importante per
le applicazioni di sicurezza
nei data center e nel cloud
computing in generale, ma
anche per prodotti speci-
fici come le appliance per
la sicurezza e moduli har-
dware da usare in settori
come quello bancario, nella
Pubblica Amministrazione
e nella Difesa.
Questi nuovi acceleratori
di Freescale abilitano so-
luzioni multichip basate su
schede end point PCI-E
oppure possono funzionare
come processori autonomi
e sono, secondo i dati di
EON
ews
n.
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-
febbraio
2013
T
ecnologie
gli switch SiC. Il BJT è davvero
facile da controllare, e anche
da spegnere completamente
senza alcun leakage di corren-
te. Grazie al coefficiente di tem-
peratura leggermente positivo
dell’on-resistance, questi BJT
sono facili da collegare in pa-
rallelo e non soffrono di hotspot
sul chip. In ultimo, ma non me-
no importante, la produzione di
di transistor bipolari è più sem-
plice di quelle per esempio dei
MOSFET, dato che non serve
ossido per il gate, il che evita
complicati processi di fabbrica-
zione.
EONEWS:
Ci può dare alcuni
dettagli sul deployement dei
device SiC ?
HESENER:
Ci sono molte ap-
plicazioni che possono trarre
beneficio dai vantaggi offerti
dal BJT SiC. I principali sono:
aumento della densità di poten-
za con l’effetto di avere sistemi
più compatti (oppure maggior
potenza con le stesse dimen-
sioni); riduzione dei costi dei
sistemi tramite a una gestione
termica più ridotta, ma anche
a componenti passivi più pic-
coli, pilotata dalle maggiori fre-
quenze di switching rese pos-
sibili; facilità di impiego grazie
alle caratteristiche dei BJT e
dei circuiti di drive di base. Si
vedranno molte applicazioni di
motion control e per l’alimen-
tazione, che useranno questi
nuovi BJT, così come inverter
per le energie rinnovabili, e
ci sono già alcuni esempi sul
mercato. Per il futuro ci aspet-
tiamo di vedere un ampio uti-
lizzo anche nei veicoli elettrici
e ibridi.
I SiC visti da
Fairchild
I componenti realizzati con il carburo di silicio (SiC) sono
utilizzati attualmente per superare alcune delle limitazioni
dei tradizionali semiconduttori in applicazioni caratteriz-
zate da elevate potenze e temperature. Un altro vantaggio
non trascurabile è costituito dalla maggiore densità di
potenza rispetto ai device basati su silicio
F
rancesco
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errari
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rancesco
D
e
P
onte
Alfred
Hesener,
responsabile
Applications
and Technical
Marketing
di Fairchild
Semiconductor
