Pagina 24 - EONews 561

nei comitati di standardiz-
zazione che definiscono le
specifiche delle Wide IO
DRAM, che sono destinate
a dispositivi mobili di inter-
posizione e a quelli di tipo
attivo su attivo.
Il lavoro procede bene anche
nella definizione delle speci-
fiche di standard per DRAM
in IC 3D con bande superio-
ri, le quali sono più adatte
per applicazioni di calcolo e
di rete. Sul fronte della filie-
ra, TSMC ha dimostrato la
fattibilità commerciale della
propria tecnologia COWOS
(chip on wafer on substrate)
in preparazione per il lancio
dei servizi di assemblaggio
di IC 3D come offerta gene-
rale per il 2013.
Quindi, quali sfide si presen-
tano per la fornitura e per
l’adozione in massa degli IC
3D nel 2013 e oltre?
Per realizzare appieno la
promessa degli IC 3D, la
nostra industria affronta una
varietà di ostacoli tecnolo-
gici e di mercato. Il primo e
più importante consiste nel
ridurre il costo dello strato di
interposizione e del proces-
so di assemblaggio. Gran
parte di questi miglioramenti
arriveranno dall’adozione in
volumi, ma è anche critico
creare un mercato aperto
e in buona salute per que-
ste tecnologie e servizi. In
secondo luogo abbiamo bi-
sogno di progettare die noti
come buoni (KGD) e più nel-
lo specifico della capacità di
realizzare assemblaggi noti
come buoni, i quali massi-
mizzano la probabilità che
un IC in 3D soddisfi tutte le
proprie specifiche dopo l’as-
semblaggio. In terzo luogo,
necessitiamo di sviluppare
nuovi modelli di business
che consentano di assem-
blare i die provenienti da di-
verse aziende attraverso un
integratore con la struttura
dei costi, la filiera, le rese/
proprietà e le responsabilità
tutte specificate in anticipo,
di modo che possiamo mas-
simizzare la gamma di appli-
cazioni che possono essere
servite dalla tecnologia.
Già gli sforzi di R&D di Xilinx
sono sulla buona strada per
una seconda generazione di
progressi, balzando ancora
una volta oltre la Legge di
Moore per ispirare gli inge-
gneri ad inventare sistemi
sempre più intelligenti, più in-
tegrati e più affamati di banda
con meno chip - e più veloce-
mente. Nel 2013 e oltre, Xi-
linx è impegnata a estendere
il valore e la diffusione della
tecnologia IC 3D in collabo-
razione con un ecosistema
crescente di fonderie e di
società EDA, della filiera e di
aziende attive nei semicon-
duttori, negli IP e nei sistemi
per determinare migliora-
menti radicali nell’integrazio-
ne IC a livello di sistema per i
progetti elettronici a livello di
sistema di domani.
Nel 2012 la tecnologia per l’integrazione e per
l’imballaggio degli IC 3D non solo è passata dal
laboratorio alla fabbrica, ma è avviata alla produzione
commerciale in grossi volumi di una prima ondata di
prodotti IC 3D nel 2013 e oltre
L iam M adden
24 Parola alle Aziende PLD
EONews n. 561 - febbraio 2013
Una convergenza di forze
economiche, di mercato
e tecnologiche ha portato
ai progressi compiuti nel-
la tecnologia degli IC 3D a
opera dei principali attori
sul mercato dei semicon-
duttori inclusi Intel, IBM, Mi-
cron, Qualcomm, Samsung,
STMicroelectronics e Xilinx.
Alla ricerca di un salto al di
là della Legge di Moore per
rispondere a una domanda
crescente di sistemi elettro-
nici di potenza più intelligen-
ti, più altamente integrati e a
consumi inferiori per miriadi
di applicazioni - trainati dal-
la cosiddetta “Internet delle
Cose” - una piccolo
insieme di aziende
sta assicurando la
fattibilità della fab-
bricazione degli IC
3D basata sulla tec-
nologia TSV (throu-
gh silicon via) e sta
sfruttando modelli
c omp l e t ame n t e
nuovi per la filiera
produttiva.
I pionieri nell’industria stan-
no superando le limitazioni
della Legge di Moore per for-
nire capacità e prestazioni
senza precedenti, spianan-
do la strada per una nuova
classe di IC eterogenei che
possono combinare e adat-
tare fra loro diversi tipi di die
(ad es. processori, memorie,
FPGA, circuiti analogici) per
creare dei system-on-chip
(SoC) che non sono mai sta-
ti possibili prima d’ora.
Avendo consegnato il primo
IC 3D sul mercato nel 2011
- e il primo IC 3D omogeneo
interamente programmabile
con 6,8 miliardi di transistor
(approssimativamente 20
milioni di gate ASIC) - Xilinx
si è confermata all’avan-
guardia dell’innovazione su-
gli IC 3D nel 2012.
A partire da una base tec-
nologia collaudata, abbiamo
fornito il primo IC 3D ete-
La fabbricazione degli IC
in 3D IC è pronta per il “debutto”
rogeneo interamente pro-
grammabile sul mercato. La
nostra tecnologia IC 3D SSI
(Stacked Silicon Intercon-
nect) semplifica la comuni-
cazione fra più die posizio-
nati fianco a fianco in cima a
uno strato di interposizione
passivo al silicio.
Sia il die della logi-
ca programmabile,
sia il die del tran-
sceiver a segnale
misto sono integra-
ti con oltre 10.000
i n t e r conness i on i
programmabili at-
traverso lo strato
di interposizione
di silicio, fornendo
il doppio della capacità di
progettazione, prestazioni
a livello di sistema e l’inte-
grazione in un dispositivo
puramente monolitico. La
tecnologia di impilamento
dei die in 3D di Xilinx au-
menta la banda aggregata
inter-chip e riduce l’occupa-
zione di spazio su scheda
diminuendo al contempo la
latenza degli I/O e il consu-
mo energetico. Integrando
in un package più die di se-
miconduttore strettamente
accoppiati, questa tecnolo-
gia fornisce ai progettisti di
sistema ulteriori opzioni per
partizionale e scalare effi-
cientemente delle soluzioni.
In parallelo a questi sforzi
vediamo che i produttori di
DRAM usano la tecnolo-
gia TSV per fornire inizial-
mente dispositivi impilati in
package singoli. I produttori
di DRAM sono anche attivi
Liam Madden,
vice presidente
di Xilinx
I pionieri
nell’industria
stanno
superando
le limitazioni
della Legge
di Moore