Toshiba annuncia le memorie BiCS FLASH a 96 strati con tecnologia QLC

Toshiba Memory Europe ha annunciato lo sviluppo dei prototipi di memorie BiCS FLASH a 96 strati utilizzando la sua tecnologia flash proprietaria 3D con cella a quattro livelli (QLC).

Il ricorso alla tecnologia QLC permette di incrementare il numero di bit per i dati di ogni cella di memoria da tre a quattro, espandendone significativamente la capacità. Il nuovo prodotto permette di disporre di una capacità pari a 1,33 terabit per singolo chip, ed è stato sviluppato in collaborazione con Western Digital Corporation.

È possibile inoltre ottenere una capacità di 2,66 terabyte in un singolo package utilizzando un’architettura costituita da uno stack di 16 chip.

Toshiba Memory inizierà a consegnare i campioni ai produttori di SSD e di controller per SSD per la valutazione dall’inizio di Settembre e prevede di iniziare la produzione in volumi nel 2019.

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