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La tecnologia SiC permette di aumentare l’efficienza e la densità di potenza dei convertitori...

Toshiba Electronics Europe ha aggiunto alla sua offerta dieci nuovi diodi a barriera Schottky...

UAES (United Automotive Electronic Systems), uno dei principali fornitori automotive in Cina, e ROHM...

SiCrystal, una filiale del gruppo ROHM, produce wafer in carburo di silicio monocristallino (SiC)...

onsemi  realizzerà in Repubblica Ceca un impianto per la produzione di componenti in carburo...

WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al...

STMicroelectronics realizzerà a Catania un nuovo impianto per la produzione in grandi volumi di...

Infineon Technologies ha presentato la nuova generazione della tecnologia trench MOSFET al carburo di...

CISSOID ha presentato la nuova serie di ICM (moduli di controllo per inverter) SiC...

Infineon Technologies ha annunciato la formalizzazione di un accordo con SK Siltron CSS, fornitore...

onsemi ha aperto a Piestany (Slovacchia) un laboratorio destinato a favorire lo sviluppo di...

Nexperia ha annunciato di aver stretto una partnership strategica con Mitsubishi Electric Corporation per...

Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky...

Toshiba Electronics Europe ha presentato dodici diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di...

Microchip Technology ha presentato la E-Fuse Demonstrator Board, abilitata dalla tecnologia al carburo di...