Il nuovo laboratorio di onsemi per il test di applicazioni per veicoli elettrici
onsemi ha aperto a Piestany (Slovacchia) un laboratorio destinato a favorire lo sviluppo di soluzioni per i sistemi di conversione di potenza dei veicoli elettrici/ibridi a batteria/plug-in (xEV) e delle infrastrutture energetiche (EI). Il laboratorio è dotato di apparecchiature specializzate per lo sviluppo e il collaudo di soluzioni a semiconduttore basate sul silicio (Si) e sul carburo di silicio (SiC) in collaborazione con gli OEM del settore automotive, i loro principali fornitori (Tier 1) e i gestori di infrastrutture energetiche.
La nuova struttura è composta da due laboratori in cui vengono eseguite prove ad alta tensione focalizzate sullo sviluppo a livello di dispositivi e di sistema, oltre che sulla valutazione di inverter di trazione Si/SiC e convertitori di potenza AC-DC/DC-DC. Le dotazioni dei laboratori, che comprendono strutture per la saldatura laser, camera bianche per la meccanica e officine, contribuiscono ad accelerare la prototipazione e il collaudo delle soluzioni di sistema della prossima generazione.
Le risorse a disposizione per la valutazione delle soluzioni di sistema della prossima generazione comprendono il collaudo continuo (24/7), soluzioni hardware e software brevettate e sviluppate internamente per supportare cicli di accensione/spegnimento (power cycling) ad alta tensione mediante modulazioni SVM (Space Vector Modulation) e SPWM (Sinusoidal Pulse Width Modulation). A queste si aggiungono i dispositivi di registrazione per valutare lo stato e l’affidabilità dei dispositivi Si e SiC, le simulazioni delle condizioni estremamente gravose in cui devono operare gli inverter, collaudo di dispositivi raffreddati a liquido a temperature estreme, da -50 fino a +220 °C e un’ampia gamma di software standard per la programmazione “on site” di FPGA e microcontrollori ARM, oltre a test di qualificazione, analisi dei dati e modellazione 3D.
Contenuti correlati
-
Connettività Bluetooth Low Energy sicura per applicazioni automotive
Bluetooth LE si propone come un’alternativa economica e a basso consumo rispetto alle soluzioni di interconnessione tradizionali basate su reti CAN (Controller Area Network) e LIN (Local Interconnect Network) Leggi l’articolo completo su EO 516
-
Infineon Technologies presenta i MOSFET CoolSiC G2
Infineon Technologies ha presentato la nuova generazione della tecnologia trench MOSFET al carburo di silicio (SiC). I nuovi MOSFET Infineon CoolSiC da 650 V e 1200 V di seconda generazione, sottolinea l’azienda, migliorano i dati chiave relativi...
-
CISSOID: ICM SiC per la mobilità elettrica
CISSOID ha presentato la nuova serie di ICM (moduli di controllo per inverter) SiC destinati al mercato della mobilità elettrica. Questi moduli software-powered sono progettati per semplificare lo sviluppo di drive per motori elettrici funzionalmente sicuri, robusti...
-
onsemi presenta i suoi IPM basati su IGBT di 7° generazione
onsemi ha realizzato i nuovi moduli di potenza intelligenti (IPM) SPM31 da 1200 V, dotati della tecnologia di ultima generazione Field Stop 7 (FS7) e basati su IGBT. Il produttore precisa che gli IPM SPM31 offrono maggiore...
-
Accordo di fornitura tra Infineon Technologies e SK Siltron CSS per i wafer SiC
Infineon Technologies ha annunciato la formalizzazione di un accordo con SK Siltron CSS, fornitore di wafer in carburo di silicio (SiC). Secondo i termini dell’accordo, SK Siltron CSS fornirà a Infineon wafer SiC da 150 millimetri, mentre...
-
Tecnologia EliteSiC M3S: la scelta migliore per le applicazioni di commutazione ad alta velocità
In questo articolo saranno analizzati i risultati dei test di caratterizzazione dei dispositivi e delle simulazioni eseguite su convertitori con PFC (Power Factor Correction) trifase realizzati utilizzando due differenti MOSFET SiC in package TO247-4L Leggi l’articolo completo su...
-
Nexperia e Mitsubishi Electric siglano una partnership strategica per i MOSFET SiC
Nexperia ha annunciato di aver stretto una partnership strategica con Mitsubishi Electric Corporation per lo sviluppo congiunto di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Questa collaborazione vedrà Nexperia e Mitsubishi Electric unire le forze per migliorare l’efficienza...
-
onsemi collabora con Renesas per la sicurezza della guida semi-autonoma
La famiglia di sensori di immagine Hyperlux di onsemi è stata integrata nella piattaforma R-Car V4x di Renesas. L’obiettivo è quello di migliorare i sistemi di visione, e quindi aumentare la sicurezza, dei veicoli a guida semi-autonoma....
-
Tutti i vantaggi del monitoraggio medicale a distanza
Le innovazioni nel settore della tecnologia dei semiconduttori hanno permesso la realizzazione di una gamma sempre più ampia di dispositivi medicali di piccole dimensioni, estremamente accurati, intelligenti e connessi Leggi l’articolo completo su EO Medical26
-
Metodologie e strumenti di apprendimento dell’Elettronica Industriale
Lo sviluppo tecnologico crea molte sfide nell’istruzione delle materie relative all’elettronica industriale. Allo stesso tempo, permette di implementare nuovi paradigmi educativi sia a livello universitario sia nell’apprendimento permanente. Questo articolo è una panoramica sulle metodologie e strumenti...