Nexperia amplia la sua offerta di componenti discreti in package DFN side-wettable flank

Pubblicato il 9 maggio 2022

Nexperia ha esteso la sua gamma di componenti discreti caratterizzati dall’uso di package DFN senza piombo con side-wettable flank (SWF). Questi componenti compatti aiutano a soddisfare le esigenze delle applicazioni di nuova generazione nei veicoli intelligenti ed elettrici.

La gamma di dispositivi AEC-Q101 disponibile comprende tutti i gruppi di prodotti Nexperia fra cui i transistor per uso generico serie BC817QBH-Q e BC807QBH-Q da 45 V (500 mA NPN/PNP in DFN1110D-3, i diodi Schottky per uso generico BAT32LS-Q e BAT42LS-Q in DFN1006BD-2, il diodo di commutazione ad alta velocità BAS21LS-Q nel package DFN1006BD-2, la serie PDTA143/114/124/144EQB-Q 50 V 100 mA nel package DFN1110D-3 e i 2N7002KQB (MOSFET Trench a canale N da 60 V) e BSS84AKQB (MOSFET Trench da 50 V a canale P) nel package DFN1110D-3.
I package leadless DFN sono fino al 90% più piccoli dei package SOT23 e questo aiuta a ridurre la quantità di spazio richiesta sulla scheda per il sempre maggior numero di componenti elettronici utilizzati nei veicoli più recenti. La caratteristica del side-wettable flank offre inoltre la possibilità di realizzare un’ispezione ottica automatizzata (AOI) molto affidabile.



Contenuti correlati

  • Nexperia
    Partnership strategica tra Nexperia e KOSTAL

    Nexperia e KOSTAL hanno siglato una partnership strategica per lo sviluppo di dispositivi wide bandgap (WBG) in grado di soddisfare esattamente i requisiti delle applicazioni automotive. In base ai termini dell’accordo, Nexperia produrrà, svilupperà e fornirà dispositivi...

  • Nexperia
    Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower

    Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...

  • Nexperia
    Nuovi diodi raddrizzatori da 650 V da Nexperia

    Nexperia ha rilasciato i sui nuovi diodi raddrizzatori da 650 V ospitati in packaging D2PAK Real-2-Pin (R2P) per l’uso in varie applicazioni automotive, industriali e di consumo, come per esempio i sistemi di ricarica, inverter e alimentatori...

  • nexperia
    Nexperia e Mitsubishi Electric siglano una partnership strategica per i MOSFET SiC

    Nexperia ha annunciato di aver stretto una partnership strategica con Mitsubishi Electric Corporation per lo sviluppo congiunto di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Questa collaborazione vedrà Nexperia e Mitsubishi Electric unire le forze per migliorare l’efficienza...

  • Mouser Electronics
    Mouser Electronics presenta le novità di Nexperia

    Mouser Electronics ha annunciato la disponibilità delle più recenti novità di Nexperia per quanto riguarda componenti discreti, dispositivi logici e MOSFET. La gamma di Nexperia, disponibile presso Mouser, comprende diodi, transistor bipolari, dispositivi di protezione dalle scariche...

  • Reference design per un alimentatore GaN da 4 kW da Arrow Electronics, Nexperia e Yageo

    Arrow Electronics, in collaborazione con Nexperia e Yageo, ha completato il progetto di riferimento di un alimentatore AC/DC con componenti GaN destinato alle applicazioni fino a 4 kW. Per realizzare il progetto, il team Arrow ha scelto...

  • Protezione ESD per le reti automotive a 24 V da Nexperia

    Nexperia ha introdotto sei dispositivi di protezione ESD (PESD2CANFD36XX-Q) qualificati AEC-Q101 e progettati per proteggere le linee bus nelle reti automotive (IVN) come LIN, CAN, CAN-FD, FlexRay e SENT dai danni causati da scariche elettrostatiche (ESD) e...

  • Nexperia presenta i nuovi ASFET per applicazioni hotswap e soft start a 12 V

    Nexperia ha esteso il suo portafoglio di ASFET (MOSFET Application Specific) per hotswap e soft start con l’introduzione di 10 nuovi dispositivi a 25 V e 30 V. Questi componenti ottimizzati combinano prestazioni SOA (safe operating area)...

  • Nexperia presenta MOSFET a 12 e 30 V per applicazioni con spazio limitato

    Nexperia ha introdotto i trench MOSFET a canale N PMCB60XN e PMCB60XNE a 30 V nel package ultracompatto DSN1006 per applicazioni dove lo spazio è limitato e l’autonomia della batteria è un fattore fondamentale . I nuovi...

  • I MOSFET in package DFN0603 di Nexperia

    Nexperia ha rilasciato una nuova gamma di MOSFET da 20 V e 30 V nel package DFN0603. Il produttore offre già dispositivi di protezione ESD in questo formato, ma ora è riuscito a realizzare dei MOSFET con...

Scopri le novità scelte per te x