CGD sigla un accordo sul GaN con Chicony Power e Cambridge University Technical Services

L’azienda fabless Cambridge GaN Devices (CGD), specializzata in dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN), ha siglato un accordo con l’azienda taiwanese Chicony Power Technology e con l’impresa britannica Cambridge University Technical Services (CUTS) per progettare e sviluppare adattatori ad alta densità di potenza e alimentatori per data center utilizzando la tecnologia GaN.

Recentemente CGD ha realizzato la seconda serie della famiglia di HEMT (high-electron-mobility-transistor) al nitruro di gallio da 650 V ICeGaN, che impiegano l’interfaccia di gate  sviluppata da CGD che elimina pressoché del tutto il tipico punto debole dei transistor al GaN funzionanti in modalità di arricchimento (“e-mode”), offrendo una affidabilità contro le sovratensioni notevolmente migliorata, soglia più alta di immunità al rumore, soppressione del transitorio dV/dt e protezione contro la scarica elettrostatica.

Giorgia Longobardi, Amministratrice Delegata di CGD, ha dichiarato:”Chicony Power è uno dei principali produttori di alimentatori a commutazione al mondo e quindi questo accordo rappresenta una straordinaria pietra miliare nel cammino di CGD volto a fornire una tecnologia per dispositivi di alimentazione efficienti sia ai nostri clienti che alla società in generale. La combinazione dei punti di forza delle nostre aziende, insieme al gruppo HVMS presso l’Università di Cambridge, rinomato a livello globale, accelereranno lo sviluppo e l’adozione di soluzioni per alimentazione ad alta densità di energia in una vasta gamma di applicazioni”.

Peter Tseng, Presidente di Chicony Power Technology ha affermato: “Chicony Power intende collaborare con CGD e HVMS a causa del loro notevole know-how nel settore del GaN. CGD ha già realizzato la seconda serie dei suoi HEMT ICeGaN che offrono prestazioni ineguagliate in termini di affidabilità e facilità d’uso. E grazie alle sue radici e ai legami ancora solidi stretti con l’Università di Cambridge, CGD può avvalersi di 25 anni di esperienza nell’ambito della ricerca universitaria – un periodo di tempo più lungo rispetto a molte altre aziende affermate nel settore del GaN”.

Contenuti correlati

• 
  Analog Devices: un nuovo driver per il controllo dei FET GaN

  LT8418 è un nuovo driver GaN half-bridge da 100 V di Analog Devices progettato per semplificare l’implementazione dei FET GaN. Questo componente può essere configurato in topologie sincrone half-bridge e full-bridge, oppure in topologie buck, boost e...
• 
  Nuove gamme di dispositivi GaN da Texas Instruments

  Texas Instruments (TI) ha presentato due nuove gamme di dispositivi di conversione di potenza che consentono di ottenere maggiori densità di potenza. I nuovi stadi di potenza integrati al nitruro di gallio (GaN) da 100 V di...
• 
  Renesas Electronics acquisirà Transphorm

  Renesas Electronics e Transphorm, produttore di semiconduttori di potenza GaN, hanno annunciato di aver stipulato un accordo definitivo in base al quale una controllata di Renesas acquisirà tutte le azioni ordinarie di Transphorm. La transazione valuta Transphorm...
• 
  TI espande la sua gamma di FET GaN

  Texas Instruments (TI) ha annunciato di aver ampliato la sua gamma di prodotti basati su tecnologia GaN con nuovi FET con gate driver integrati, tra cui i dispositivi LMG3622, LMG3624 e LMG3626, che permettono di raggiungere velocità...
• 
  Legrand adotta la tecnologia GaN di Innoscience

  Innoscience Technology ha annunciato che la multinazionale Legrand, specializzata in infrastrutture elettriche e digitali per l’edilizia, utilizzerà i dispositivi InnoGaN nelle nuove prese elettriche per utenze domestiche per soddisfare il crescente fabbisogno di potenza di dispositivi come...
• 
  Una nuova generazione di alimentatori ultracompatti da COSEL

  COSEL ha realizzato una nuova generazione di alimentatori estremamente compatti per applicazioni industriali, la serie TE. Utilizzando le tecnologie più avanzate, come i semiconduttori wide bandgap al nitruro di gallio (GaN), i trasformatori planari ad alta frequenza...
• 
  Riconoscimento alla Innovation Zone europea di TSMC per gli HEMT ICeGaN di CGD

  Il SoC HEMT GaN ICeGaN di Cambridge GaN Devices (CGD) ha ottenuto il riconoscimento “Miglior demo” alla Innovation Zone del 2023 Europe Technology Symposium di TSMC. CGD evidenzia che il suo ICeGaN , che è ora nella...
• 
  Innoscience ha venduto oltre 300 milioni di chip InnoGaN

  Innoscience Technology ha annunciato di aver spedito oltre 300 milioni di chip InnoGan al nitruro di gallio fino ad agosto 2023. L’azienda ha infatti aumentato le vendite di dispositivi GaN del 500% anno su anno, a fronte...
• 
  Allegro MicroSystems presenta un nuovo gate driver isolato ottimizzato per FET GaN

  Allegro MicroSystems ha annunciato AHV85110, un nuovo gate driver isolato ottimizzato per pilotare FET GaN (nitruro di gallio). Questo IC è il primo prodotto del portafoglio Power-Thru dell’azienda e offre diversi vantaggi fra cui un ingombro ridotto,...
• 
  Tektronix annuncia una funzione di Double Pulse Test per accelerare i tempi di validazione di tecnologie SiC e GaN

  Tektronix ha rilasciato una nuova versione del pacchetto software relativo alla funzione Double Pulse Test (soluzione WBG-DPT). Questa soluzione è in grado di fornire misurazioni automatizzate, ripetibili e accurate sui dispositivi in tecnologia wide bandgap, come i...