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TECH INSIGHT
MEMORIE
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- ELETTRONICA OGGI 461 - APRILE 2017
Più capienza solida
In diversi laboratori s’insegue il filone di ricerca che
mira a realizzare celle capaci di memorizzare più bit
ossia le TLC/QLC/MLC, Triple-Level Cell, Quad-Level
Cell e Multi-Level Cell. Queste soluzioni moltiplicano
la capienza delle memorie ma ne complicano il layout
soprattutto nell’inserimento delle informazioni e sono
perciò adatte alle applicazioni dove le operazioni di
lettura sono molto più frequenti delle operazioni di
scrittura. Vanno bene nei lettori multimediali e nell’ar-
chiviazione dei database che non implicano l’aggior-
namento continuo dei dati immagazzinati, altrimenti
conviene limitarsi a uno o due bit per cella.
La tecnologia 3D Nand è stata sviluppata da Micron
insieme alla tecnologia d’interfaccia di tipo seriale
Universal Flash Storage (UFS) giunta allo standard
2.1 che consente di immagazzinare ben 32 GByte di
memoria in soli 60,217 mm2 di spazio, ideale a bordo
degli attuali smartphone. È a tutti gli effetti seriale ma
è anche bidirezionale perché consente alle CPU di leg-
gere e scrivere dati simultaneamente su due connes-
sioni indipendenti ma sincronizzate. Con una banda di
1,2 GByte/s le interfacce UFS 2.1 sono quattro volte
più veloci delle eMMC 5.1 che sono parallele ma pos-
sono solo leggere oppure scrivere i dati in due cicli di-
versi. Inoltre, le UFS hanno il vantaggio di poter scala-
re ulteriormente e secondo gli esperti Micron raddop-
pieranno a 2,4 GByte/s nella prossima versione UFS
3.0 che viene promossa dalla Universal Flash Storage
Association (UFSA) cali-
forniana come tecnologia
di memorizzazione di serie
negli smartphone 5G.
Nei laboratori Samsung
hanno ulteriormente svi-
luppato i transistor FinFET
con la base ingrandita in
altezza rispetto al canale
di conduzione in modo tale
da renderne più rapida ed
energeticamente più effi-
ciente la commutazione.
Con i FinFET in geometria
di riga da 14 nm Samsung
fabbrica le celle di memo-
ria Flash 3D denominate
V-Nand, o Vertical Nand,
proposte con fino a 48
strati di memoria impilati
uno sopra l’altro per chip
MLC con capacità di 256
GByte e memorie da 1 Tbit
di 11,5x13 mm. Intanto ha
presentato una nuova se-
rie di Memory Card UFS
removibili nei tagli da 32,
64, 128 e 256 GByte con
velocità di 530 MByte/s in
lettura e di 170 MByte/s in
scrittura.
Fig. 3 – Le memorie LPDDR4X
di SK Hynix con capienza
di 16 Gbit hanno gli I/O da 64
bit alimentati a 0,6 V
per una velocità
di trasferimento dati
di 34,1 GByte/s
Fig. 4 – La tecnologia d’interfaccia seriale Universal Flash Storage è bidirezionale e permette di scrivere
e leggere dati simultaneamente fino a 1,2 GByte/s che raddoppieranno a 2,4 GByte/s nella versione 3.0