WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK

WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) nel packaging TSPAK che offre prestazioni termiche particolarmente interessanti. L’evento di Norimberga è stato anche l’occasione per la presentazione di una gamma completa di moduli di potenza SiC integrati del produttore.

I nuovi dispositivi di WeEn Semiconductor rispondono alle esigenze delle applicazioni per la gestione dell’alimentazione ad alte prestazioni in ambiti che spaziano dalla ricarica automotive e applicazioni di on-board charger agli inverter fotovoltaici e agli alimentatori ad alta densità di potenza.

La famiglia WeEn Semiconductors di MOSFET TSPAK offre opzioni da 650 V, 750 V e 1200 V con resistenze che vanno da 12 mΩ a 150 mΩ. Gli SBD TSPAK sono disponibili con valori di corrente compresi tra 10 e 40 A nelle varianti 650 V, 750 V e 1200 V.

Il produttore dispone di un’ampia gamma di opzioni per quanto riguarda le topologie e, a seconda dell’opzione e dei design, i moduli integrano una varietà di funzionalità avanzate tra cui la condivisione sincronizzata della corrente dei chip, sensori di temperatura, strutture di raffreddamento della parte superiore e le più recenti tecnologie di clip-bond.

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