Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS IX-H

Pubblicato il 14 marzo 2017

Toshiba Electronics Europe ha aggiunto nove versioni da 40V e cinque da 45V alla sua serie di  MOSFET di potenza a canale N U-MOS IX-H.

Caratterizzati da valori particolarmente bassi di resistenza di ON e elevate prestazioni in termini di velocità i nuovi prodotti sono progettati per applicazioni industriali e consumer, inclusi i convertitori DC-DC e AC-DC ad alta efficienza, gli alimentatori e i driver per motori.

I nuovi MOSFET usano il processo a bassa tensione con struttura trench U-MOS IX-H di ultima generazione di Toshiba per ottenere una RDS(ON) (@VGS=10V) massima da 0.80mΩ a 7.5mΩ.

Le strutture delle celle usate nei nuovi MOSFET, inoltre, sono ottimizzate per sopprimere i picchi di tensione e le oscillazioni durante la commutazione, contribuendo a ridurre le EMI del sistema.

I principali tipi di package sono SOP-Advance 5 x 6mm e TSON-Advance 3x3mm. Tutti i nuovi dispositivi supportano unità con livelli logici di 4,5V.



Contenuti correlati

  • toshiba
    Capacità di oltre 30 terabyte per i prossimi HDD di Toshiba

    Toshiba Electronic Devices & Storage ha dimostrato con successo le possibilità degli hard disk Nearline, basati su due tecnologie di registrazione magnetica innovative: la Heat Assisted Magnetic Recording (HAMR) e la Microwave Assisted Magnetic Recording (MAMR). Queste...

  • Toshiba
    Quattro fotoaccoppiatori da Toshiba per applicazioni a bassa velocità

    Toshiba Electronics Europe ha introdotto quattro fotoaccoppiatori che risolvono i problemi causati dai segnali con tempi lenti di salita e discesa del segnale e dagli alimentatori slow startup . Questi dispositivi utilizzano emettitori di luce e ricevitori...

  • Toshiba
    Toshiba: come scegliere l’hard disk più adatto

    Toshiba spiega in questa breve guida le principali differenze tra i vari tipi di hard disk (HDD) disponibili. Dal punto di vista della forma e della tecnologia di base, i diversi modelli di hard disk possono sembrare...

  • Infineon
    Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 7 da 80 V per applicazioni automotive

    Infineon Technologies ha introdotto il primo prodotto nella sua nuova tecnologia MOSFET OptiMOS 7 80 V. Siglato IAUCN08S7N013, il nuovo componente offre una densità di potenza particolarmente elevata ed è disponibile nel package SMD SSO8 5 x...

  • Infineon
    Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 6 da 200 V

    Infineon Technologies ha annunciato la famiglia di MOSFET OptiMOS 6 da 200 V. La nuova gamma è progettata per offrire prestazioni ottimali in applicazioni quali scooter elettrici, micro-veicoli elettrici e carrelli elevatori elettrici. Il produttore precisa che...

  • Ottimizzazione di inverter basati su dispositivi in GaN per il pilotaggio di motori BLDC

    Grazie alle superiori prestazioni di commutazione dei dispositivi in GaN, gli inverter che li utilizzano possono essere ottimizzati riducendo il numero di componenti, diminuendo così il volume complessivo dell’inverter rispetto a quelli basati su MOSFET a bassa...

  • Dispositivi di potenza a semiconduttore: una panoramica

    Questo articolo è una panoramica sui dispositivi di potenza a semiconduttore e sul relativo potenziale applicativo nei sistemi e apparati elettronici in termini di prestazioni alle alte tensioni, alte correnti, densità di potenza e velocità di commutazione...

  • Toshiba Electronics Europe
    Toshiba introduce nuovi MOSFET a canale P

    Toshiba Electronics Europe ha annunciato due nuovi MOSFET a canale P da 60V basati sul processo U-MOS VI dell’azienda. I nuovi MOSFET XPH8R316MC e XPH13016MC sono qualificati in conformità allo standard AEC-Q101 per l’affidabilità automotive. Le connessioni...

  • ROHM
    ROHM: nuova line-up di MOSFET da 600 V compatti

    ROHM ha aggiunto alla sua offerta una line-up di MOSFET Super Junction compatti da 600 V. I modelli sono siglati rispettivamente R6004END4, R6003KND4, R6006KND4, R6002JND4 e R6003JND4. Si tratta di dispositivi utilizzabili per piccoli alimentatori per illuminazione,...

  • Infineon Technologies
    Infineon presenta i MOSFET di potenza OptiMOS 7 a 15 V

    Infineon Technologies ha presentato la sua nuova famiglia OptiMOS 7, una serie di MOSFET di potenza trench a 15 V che si rivolge principalmente alla conversione DC-DC ottimizzata per server, computing, data center e applicazioni di intelligenza...

Scopri le novità scelte per te x