Nuova famiglia di HEMT in bassa tensione da Innoscience Technology

Innoscience Technology ha annunciato una nuova gamma di transistor HEMT discreti in bassa tensione con packaging FCQFN. La tecnologia “flip chip” semplifica l’utilizzo dei nuovi dispositivi, proposti nelle versioni a 40 V, 100 V e 150 V.

I dispositivi FCQFN con tensione nominale di 40 V sono disponibili con RDS(on) (on-resistance) di 4,3 mΩ (formato chip 3×4 mm). Gli HEMT da 100 V vengono proposti con valori RDS(on) di 2,8 mΩ (3×5 mm) e 1,8 mΩ (4×6 mm), mentre i componenti da 150 V nel formato 4×6 mm sono disponibili con RDS(on) di 3,9 mΩ e 7 mΩ.

Questi componenti possono essere impiegati nel settore mobile e in applicazioni con collegamento diretto alla batteria. Un’altra applicazione sono i convertitori buck boost per USB Tipo C nei laptop.

I dispositivi da 100 V sono idonei per la trasformazione c.c./c.c. con potenze fino a 2 kW, grazie alla loro bassissima on-resistance. In configurazione parallela si possono raggiungere potenze fino a 8 kW.

I nuovi modelli da 150 V sono destinati ad applicazioni industriali fra cui gli impianti solari. Sono progettati in modo da non dover applicare il derating. Tutti i nuovi HEMT da 40 V, 100 V e 150 V hanno superato i test previsti dalle norme JEDEC e JEP 180 specifiche per il GaN.

Un ultimo aspetto da sottolineare è che gli HEMT a 100 V da 1.8 mΩ sono compatibili a livello di pin con i nuovi componenti a 150 V da 3.9 mΩ e 7 mΩ, poiché tutti hanno un packaging FCQFN da 4×6 mm, assicurando grande flessibilità in fase di progettazione.

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