Gli HEMT GaN bidirezionali Bi-GaN di Innoscience adottati da OPPO

Innoscience Technology ha presentato la serie Bi-GaN di dispositivi HEMT bidirezionali per la ricarica che non generano gli incrementi di temperatura a volte riscontrati con i tradizionali dispositivi al silicio. Innoscience ha anche annunciato che OPPO utilizzerà i nuovi dispositivi BiGaN all’interno dei propri telefoni per controllare le correnti di caricamento e scaricamento della batteria.

Grazie ai bassi valori RDS(on) di InnoGaN, all’assenza di diodi parassiti e all’esclusiva bidirezionalità della tecnologia di BiGaN Innoscience, con un unico HEMT BiGaN è possibile sostituire due MOSFET NMOS accoppiati “back-to-back” in una configurazione con alimentazione comune per ottenere la commutazione bidirezionale delle correnti di caricamento e scaricamento della batteria. Questa soluzione riduce la resistenza nello stato di accensione (on-state), l’ingombro del chip del 70% e l’incremento di temperatura del 40%.

Il primo dispositivo BiGaN rilasciato da Innoscience è INN040W0488, un HEMT bidirezionale al nitruro di gallio su silicio da 40V, con package WLCSP da 2,1 x 2,1 mm. Il chip supporta la commutazione bidirezionale con resistenza on-state di 4,8mΩ. BiGaN è destinato ad applicazioni quali circuiti di protezione dalle sovracorrenti per la ricarica degli smartphone, circuiti di commutazione di carico high-side e circuiti di commutazione per sistemi multipotenza.

Contenuti correlati

• 
  Innoscience amplia la famiglia di dispositivi a 650 V

  Innoscience Technology ha realizzato una gamma di dispositivi HEMT GaN a 650 V funzionanti in modalità di arricchimento (“E-mode”).  I nuovi dispositivi InnoGaN con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600 mΩ in package standard DFN...
• 
  Quando la cybersecurity comincia dai chip

  Nell’era digitale, la complessità tecnologica dei chip aumenta  rischi di contraffazione e complica il mantenimento della sicurezza informatica. Proposto in Commissione Europea un pacchetto di misure e strumenti per garantire all’Unione la sicurezza delle forniture, oltre che...
• 
  Accordo di distribuzione fra Innoscience e WPG

  Innoscience Technology ha sottoscritto un accordo di distribuzione mondiale con WPG Holdings che consente a clienti in tutto il mondo di accedere ai transistor HMET con tecnologia GaN realizzati da Innoscience per applicazioni in alta e bassa...
• 
  Innoscience esordisce in Europa al PCIM Europe

  Innoscience Technology ha scelto PCIM Europe 2022 per il suo esordio in Europa. La manifestazione, che si terrà dal 10 al 12 maggio 2022 alla Nuremberg Messe di Norimberga, è dedicata all’elettronica di potenza ed è l’occasione...
• 
  Da Innoscience il design di un alimentatore ad alta densità basato su componenti GaN

  Innoscience Technology ha realizzato un nuovo alimentatore dimostrativo da 140 W a densità ultra-alta che utilizza i dispositivi HEMT (high-electron-mobility-transistor) basati sui GaN ad alta e bassa tensione dell’azienda per ottenere efficienze superiori al 95%. L’alimentatore misura...
• 
  Innoscience: il primo dispositivo GaN per telefoni cellulari

  Innoscience Technology ha annunciato INN40W08, un transistor HEMT GaN-on-Si bidirezionale da 40V per dispositivi mobili, compresi laptop e telefoni cellulari. HEMT INN40W08 è stato sviluppato utilizzando l’avanzata tecnologia InnoGan dell’azienda che si caratterizza per una resistenza di...
• 
  Innoscience Technology inaugura le nuove sedi in Europa e negli Stati Uniti

  Innoscience Technology ha annunciato ufficialmente l’apertura delle sue sedi operative negli Stati Uniti e in Europa, rispettivamente a Santa Clara, in California, e a Leuven, in Belgio. L’azienda prevede che entrambi gli uffici si espanderanno rapidamente nei...