Innoscience amplia la famiglia di dispositivi a 650 V

Pubblicato il 27 ottobre 2022

Innoscience Technology ha realizzato una gamma di dispositivi HEMT GaN a 650 V funzionanti in modalità di arricchimento (“E-mode”).  I nuovi dispositivi InnoGaN con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600 mΩ in package standard DFN 8×8 e 5×6 si uniscono ai componenti già annunciati con RDS(on) di 140 mΩ, 240 mΩ o 500 mΩ.

I nuovi dispositivi presentano inoltre valori della tensione transitoria drain-source (VDS, transitoria) di 800 V, per eventi non ripetitivi con lunga durata dell’impulso – fino a 200 µs – e della tensione pulsata (VDS, pulsata), di 750 V, per impulsi ripetitivi – di durata fino 100 ns, per i componenti con RDS(on) di 190 mΩ.

Analogamente ai precedenti dispositivi a 650 V, i nuovi dispositivi con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600 mΩ sono tutti dotati di un circuito di protezione contro la scarica elettrostatica integrato nel chip per facilitare l’assemblaggio in grandi volumi di questi dispositivi nel package e la loro movimentazione.

Le possibili applicazioni degli InnoGaN sono molteplici: convertitori con correzione del fattore di potenza (CFP), convertitori CC-CC, driver LED, caricabatteria veloci, adattatori per notebook e multifunzione, alimentatori per PC desktop, televisori, utensili automatici e altre.



Contenuti correlati

  • Analog Devices
    Analog Devices: un nuovo driver per il controllo dei FET GaN

    LT8418 è un nuovo driver GaN half-bridge da 100 V di Analog Devices progettato per semplificare l’implementazione dei FET GaN. Questo componente può essere configurato in topologie sincrone half-bridge e full-bridge, oppure in topologie buck, boost e...

  • TEXAS INSTRUMENTS
    Nuove gamme di dispositivi GaN da Texas Instruments

    Texas Instruments (TI) ha presentato due nuove gamme di dispositivi di conversione di potenza che consentono di ottenere maggiori densità di potenza. I nuovi stadi di potenza integrati al nitruro di gallio (GaN) da 100 V di...

  • Innoscience Technology
    Un nuovo VGAN a 100V da Innoscience Technology

    In nuovo dispositivo VGaN a 100V di Innoscience Technology  può essere utilizzato per raggiungere un’efficienza elevata nei sistemi di gestione della batteria (BMS) da 48V o 60V, oltre che in applicazioni su interruttori di carico ad alta...

  • Renesas Electronics
    Renesas Electronics acquisirà Transphorm

    Renesas Electronics e Transphorm, produttore di semiconduttori di potenza GaN, hanno annunciato di aver stipulato un accordo definitivo in base al quale una controllata di Renesas acquisirà tutte le azioni ordinarie di Transphorm. La transazione valuta Transphorm...

  • Innoscience Technology
    Nuova famiglia di HEMT in bassa tensione da Innoscience Technology

    Innoscience Technology ha annunciato una nuova gamma di transistor HEMT discreti in bassa tensione con packaging FCQFN. La tecnologia “flip chip” semplifica l’utilizzo dei nuovi dispositivi, proposti nelle versioni a 40 V, 100 V e 150 V....

  • TI
    TI espande la sua gamma di FET GaN

    Texas Instruments (TI) ha annunciato di aver ampliato la sua gamma di prodotti basati su tecnologia GaN con nuovi FET con gate driver integrati, tra cui i dispositivi LMG3622, LMG3624 e LMG3626, che permettono di raggiungere velocità...

  • Innoscience Technology
    Legrand adotta la tecnologia GaN di Innoscience

    Innoscience Technology ha annunciato che la multinazionale Legrand, specializzata in infrastrutture elettriche e digitali per l’edilizia, utilizzerà i dispositivi InnoGaN nelle nuove prese elettriche per utenze domestiche per soddisfare il crescente fabbisogno di potenza di dispositivi come...

  • CGD
    CGD sigla un accordo sul GaN con Chicony Power e Cambridge University Technical Services

    L’azienda fabless Cambridge GaN Devices (CGD), specializzata in dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN), ha siglato un accordo con l’azienda taiwanese Chicony Power Technology e con l’impresa britannica Cambridge University Technical Services (CUTS) per progettare...

  • COSEL
    Una nuova generazione di alimentatori ultracompatti da COSEL

    COSEL ha realizzato una nuova generazione di alimentatori estremamente compatti per applicazioni industriali, la serie TE. Utilizzando le tecnologie più avanzate, come i semiconduttori wide bandgap al nitruro di gallio (GaN), i trasformatori planari ad alta frequenza...

  • Innoscience
    Accordo di distribuzione europeo tra Innoscience Technology e MEV Elektronik

    Innoscience Technology ha annunciato di aver firmato un accordo di distribuzione pan-europeo con il distributore tedesco MEV Elektronik Service. MEV pone particolare attenzione al servizio di assistenza e dispone, inoltre, di laboratori interni dove sviluppa le soluzioni...

Scopri le novità scelte per te x