Innoscience amplia la famiglia di dispositivi a 650 V

Innoscience Technology ha realizzato una gamma di dispositivi HEMT GaN a 650 V funzionanti in modalità di arricchimento (“E-mode”).  I nuovi dispositivi InnoGaN con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600 mΩ in package standard DFN 8×8 e 5×6 si uniscono ai componenti già annunciati con RDS(on) di 140 mΩ, 240 mΩ o 500 mΩ.

I nuovi dispositivi presentano inoltre valori della tensione transitoria drain-source (VDS, transitoria) di 800 V, per eventi non ripetitivi con lunga durata dell’impulso – fino a 200 µs – e della tensione pulsata (VDS, pulsata), di 750 V, per impulsi ripetitivi – di durata fino 100 ns, per i componenti con RDS(on) di 190 mΩ.

Analogamente ai precedenti dispositivi a 650 V, i nuovi dispositivi con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600 mΩ sono tutti dotati di un circuito di protezione contro la scarica elettrostatica integrato nel chip per facilitare l’assemblaggio in grandi volumi di questi dispositivi nel package e la loro movimentazione.

Le possibili applicazioni degli InnoGaN sono molteplici: convertitori con correzione del fattore di potenza (CFP), convertitori CC-CC, driver LED, caricabatteria veloci, adattatori per notebook e multifunzione, alimentatori per PC desktop, televisori, utensili automatici e altre.

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