Inizia la produzione in volumi degli HEMT al GaN da 650 V di ROHM

ROHM ha annunciato l’inizio della produzione in volumi degli HEMT GaN da 650 V, ottimizzati per un’ampia serie di applicazioni dei sistemi di potenza. Si tratta dei modelli GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z, messi a punto congiuntamente con Ancora Semiconductors – affiliata di Delta Electronics – che sviluppa dispositivi GaN.

Questi componenti sono utilizzabili per una vasta serie di sistemi di potenza previsti dalle apparecchiature industriali e dai dispositivi consumer, compresi server e adattatori AC.

I modelli GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z offrono elevate prestazioni in termini di RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, che si traducono in una maggiore efficienza dei sistemi. Al tempo stesso, un elemento di protezione integrato contro le ESD migliora fino a 3,5 kV la resistenza elettrostatica alle scariche, conferendo così maggior affidabilità alle applicazioni. Le caratteristiche di commutazione ad alta velocità degli HEMT al GaN contribuiscono inoltre alla maggiore miniaturizzazione dei componenti.

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