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IDT ed eSilicon insieme per la prossima generazione di switch RapidIO

Pubblicato il 18 luglio 2014

IDT (Integrated Device Technology) ed eSilicon Corporation hanno annunciano una collaborazione per sveltire lo sviluppo della prossima generazione di switch RapidIO, concepiti per far fronte alle richieste sempre maggiori di prestazioni delle nuove architetture di sistema delle infrastrutture wireless, embedded o informatiche. Le due società collaboreranno nelle prime ricerche e nello sviluppo degli switch RapidIO che funzioneranno a 40 Gbps per porta sulla base della specifica RapidIO 10xN.

Gli switch sviluppati nell’ambito di questo programma consentiranno ai produttori delle stazioni base wireless della prossima generazione, delle Cloud RAN (accesso radio alla rete), di dispositivi mobili e di altre reti in evoluzione, di essere in prima linea nelle applicazioni caratterizzate da un massiccio utilizzo dei dati nel sempre più diffuso utilizzo dei dispositivi portatili.

Gli switch RapidIO 10xN offriranno una combinazione ottimale di bassa latenza 100ns, 40 Gps per porta di ampiezza di banda e scalabilità a più di 4 miliardi di nodi in una rete.  Questi dispositivi sviluppati congiuntamente saranno un target per la nuova generazione di piattaforme per stazioni base quali LTE-Advanced (LTE-A), C-RAN e 5G, ma troveranno anche una valida applicazione nelle architetture emergenti quali stazioni base co-locate con piattaforme informatiche ad alte prestazioni (HPC).

Gli switch attuali di IDT a 20 Gbps per porta sono attualmente lo standard di interconnessione di fatto per i cluster di DSP, microprocessori e ASIC nelle stazioni base esistenti 3G e 4G utilizzate in tutto il mondo. Con questa collaborazione, le società realizzeranno in serie una gamma di switch e di bridge programmando di rendere disponibili in commercio i primi prodotti nella seconda metà del 2015.

pb

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