Fairchild Semiconductor: Fdmc8200, dual Mosfet

Il dispositivo Fdmc8200 integra un Mosfet a canale n da 30 V sincrono (low side) e ottimizzato per il controllo (high side) in un modulo Mlp da 3 x 3 mm Mlp, il tutto facendo ricorso alla raffinata tecnologia di processo Mosfet Fairchild PowerTrench 7.

Presenta un valore Rds(on) tipico di 24 mΩ nel lato high side e di 9,5 mΩ nel lato low side e fornisce oltre 9 A di corrente per le tipiche applicazioni informatiche, mentre la disposizione dei pin e gli ingombri ottimizzati semplificano il layout progettuale e il percorso dei segnali, facilitando la progettazione.

Fdmc8200 fa parte di un portafoglio completo di Mosfet che rispondono a un’ampia gamma di requisiti di tensione e incorporano una tecnologia di packaging all’avanguardia per assicurare la gestione efficiente dell’alimentazione e una bassa resistenza termica. Tra questi prodotti figurano i dispositivi Fdms9600S e Fdms9620S, moduli Fet integrati che riducono significativamente lo spazio occupato su scheda e permettono di realizzare design buck sincroni caratterizzati da superiori livelli di efficienza di conversione.

Fairchild Semiconductor: www.fairchildsemi.com

Contenuti correlati

• 
  MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik

  Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...
• 
  Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower

  Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
• 
  Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione

  Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...
• 
  TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay

  Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e...
• 
  Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V

  I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...
• 
  WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK

  WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) nel packaging TSPAK che offre prestazioni termiche particolarmente interessanti. L’evento di Norimberga è...
• 
  Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 7 da 80 V per applicazioni automotive

  Infineon Technologies ha introdotto il primo prodotto nella sua nuova tecnologia MOSFET OptiMOS 7 80 V. Siglato IAUCN08S7N013, il nuovo componente offre una densità di potenza particolarmente elevata ed è disponibile nel package SMD SSO8 5 x...
• 
  Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 6 da 200 V

  Infineon Technologies ha annunciato la famiglia di MOSFET OptiMOS 6 da 200 V. La nuova gamma è progettata per offrire prestazioni ottimali in applicazioni quali scooter elettrici, micro-veicoli elettrici e carrelli elevatori elettrici. Il produttore precisa che...
• 
  Ottimizzazione di inverter basati su dispositivi in GaN per il pilotaggio di motori BLDC

  Grazie alle superiori prestazioni di commutazione dei dispositivi in GaN, gli inverter che li utilizzano possono essere ottimizzati riducendo il numero di componenti, diminuendo così il volume complessivo dell’inverter rispetto a quelli basati su MOSFET a bassa...
• 
  Dispositivi di potenza a semiconduttore: una panoramica

  Questo articolo è una panoramica sui dispositivi di potenza a semiconduttore e sul relativo potenziale applicativo nei sistemi e apparati elettronici in termini di prestazioni alle alte tensioni, alte correnti, densità di potenza e velocità di commutazione...