electronica 2014 – International Rectifier

International Rectifier, presente a electronica 2014 (Padiglione A5, Stand 320), ha ampliato la sua gamma di IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) con l’introduzione di una famiglia di robusti e affidabili dispositivi da 650V, ottimizzati per la commutazione ad alta velocità, che si rivelano particolarmente adatti per applicazioni nel campo degli inverter solari, saldatrici elettriche, azionamenti industriali, riscaldamento a induzione e gruppi di continuità (UPS).

Con una corrente nominale disponibile in valori da 15 A a 90 A, la famiglia di IGBT IRGP47xx sfrutta la tecnologia dei wafer sottili per ridurre le perdite di conduzione e di commutazione migliorando l’efficienza energetica del sistema.

Disponibili sotto forma di dispositivi discreti o inseriti nello stesso contenitore con un diodo di recupero dolce a basso Qrr, questi nuovi IGBT sono ottimizzati per funzionare a frequenze di commutazione elevatissime (8 kHz-30 kHz), con una durata del corto-circuito sopportato estesa a 6 µs e coefficiente di temperatura positivo della tensione VCE_(ON) per facilitarne il collegamento in parallelo.

La tensione di rottura più elevata offre un’ancor maggiore affidabilità per sopportare condizioni metereologiche estreme e instabilità sulla linea di alimentazione elettrica, eliminando la necessità di inserire dispositivi di soppressione dei transitori di tensione.

Adatta per una vasta gamma di frequenze di commutazione, la famiglia di dispositivi IRGP47xx ha una bassa tensione V_CE(ON)  di 1,7V (tipica) a 100°C e una bassa energia totale di commutazione (E_TS), che riduce la dissipazione di potenza. Offerta sotto forma si componenti inseriti in un contenitore, ha tra le altre caratteristiche una temperatura di giunzione massima di 175°C e un basso livello di EMI che ne migliora l’affidabilità.

pb

Contenuti correlati

• 
  onsemi presenta i suoi IPM basati su IGBT di 7° generazione

  onsemi ha realizzato i nuovi moduli di potenza intelligenti (IPM) SPM31 da 1200 V, dotati della tecnologia di ultima generazione Field Stop 7 (FS7) e basati su IGBT. Il produttore precisa che gli IPM SPM31 offrono maggiore...
• 
  Infineon e VMAX intensificano la loro collaborazione

  Il nuovo sistema ibrido discreto CoolSiC con IGBT Fast-Switching TRENCHSTOP 5 e diodo Schottky CoolSiC di Infineon Technologies è stato scelto da VMAX, produttore cinese di elettronica di potenza, per realizzare caricabatterie di bordo OBC/DCDC a 6,6...
• 
  IGBT: quando, dove e come impiegarli

  Un breve ripasso sulla struttura e sul funzionamento degli IGBT, una descrizione delle topologie circuitali più adatte per numerose applicazioni che utilizzano questi dispositivi e un’analisi delle topologie emergenti per questa versatile e collaudata tecnologia Leggi l’articolo...
• 
  Moduli di potenza Semikron Danfoss con IGBT ROHM

  Semikron Danfoss ha recentemente aggiunto il nuovo IGBT RGA da 1200 V di ROHM alla propria offerta di moduli. ROHM ha lanciato il nuovo IGBT RGA da 1200 V, come alternativa agli ultimi dispositivi IGBT di settima...
• 
  Un nuovo IGBT con tecnologia Toshiba di ultima generazione

  Il nuovo GT30J65MRB è un IGBT discreto da 650V a canale N di Toshiba Electronics Europe concepito per l’impiego nei circuiti di correzione del fattore di potenza (PFC) nei condizionatori d’aria, negli elettrodomestici, negli alimentatori per apparecchiature...
• 
  I nuovi IPM con IGBT da 600 V di ROHM

  ROHM ha sviluppato quattro nuovi moduli di potenza intelligenti (IPM) con IGBT da 600 V, appartenenti alla serie BM6437x, caratterizzati da bassa rumorosità e perdite limitate. I dispositivi trovano utilizzo nelle apparecchiature industriali compatte, quali piccoli motori...
• 
  Come semplificare lo sviluppo di soluzioni più efficienti per gli azionamenti per motori

  In un’economia caratterizzata da un elevato tasso di industrializzazione, l’automazione riveste un ruolo critico. In qualità sia di consumatori sia di produttori, siamo sicuramente più consapevoli dell’impatto che un tale livello di automazione può avere sull’ambiente. Poichè...
• 
  Da Toshiba un nuovo IGBT da 1350 V per gli elettrodomestici

  Toshiba Electronics Europe ha presentato un nuovo IGBT discreto da 1350 V per l’uso in applicazioni come gli elettrodomestici che sfruttano il riscaldamento a induzione, per esempio fornelli e forni a microonde. Siglato GT20N135SRA, il nuovo IGBT...
• 
  ON Semiconductor amplia l’offerta di IGBT e gate driver

  ON Semiconductor ha recentemente presentato un nuovo IGBT ibrido basato su carburo di silicio (SiC) e una serie di nuovi gate driver. Il modello AFGHL50T65SQDC è formato da un IGBT realizzato con la più recente tecnologia Field-Stop...
• 
  ROHM aggiunge quattro modelli alla linea di IGBT a 1200 V per automotive

  ROHM ha recentemente ha ampliato la sua offerta di IGBT per il settore automotive con quattro nuovi modelli a 1200V. La nuova Serie RGS è conforme allo standard AEC-Q101, in entrambe le varianti a 1200 V e...