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ANALOG/MIXED SIGNAL

LOW POWER

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- ELETTRONICA OGGI 444 - APRILE 2015

modellazione di questi componenti si è concentrata su que-

sta zona di funzionamento, con una scarsa attenzione sulla

modellazione nello stato di “off”. L’intera regione di funzio-

namento in cui la tensione è compresa tra 0V e Vth non è

quindi modellata in maniera precisa, ragion per cui i modelli

esistenti risultano inadeguati per la progettazione “sub-th-

reshold”, come riportato in figura 2.

2. Commutazioni logiche e rumore

La risposta in uscita di un transistor che opera nella regi-

one sotto-soglia è appena percettibile e il suo rilevamento

richiede un elevato livello di sensibilità. Sebbene le correnti

variino in maniera esponenziale con la tensione, si tratta di

correnti di valore estremamente ridotto. Oltre a ciò, rispetto

ai transistor operanti nella regione sopra-soglia, il rapporto

della corrente nello stato di “on” rispetto a quella nello stato

di “off” di un transistor operante nella regione sotto-soglia

è inferiore di un fattore pari a 1.000 (Fig. 3). Il compito di

rilevare le escursioni logiche risulta ancora più difficile in

presenza di rumore.

3. Sensibilit

à alle condizioni operative

I progetti di tipo “sub-threshold” sono senza dubbio più sen-

sibili alle variazioni di processo e ambientali rispetto ai pro-

getti “super-threshold” tradizionali. Nella produzione dei se-

miconduttori si utilizzano solitamente i cosiddetti corner lots

(gruppi di wafer modificati “ad hoc” grazie ai quali è possibile

verificare l’affidabilità alle variazioni di processo che statisti-

camente si verificano nel processo di produzione dei wafer

nel corso degli anni). In un corner di processo lento la cor-

rente può essere da 10 a 100 volte inferiore rispetto a quella

del processo nominale. Dato che il rapporto della corrente

negli stati di “on” e di “off” è dell’ordine di un migliaio, non

può essere ignorato.

Le variazioni di temperatura costituiscono un ottimo esem-

pio di come le condizioni ambientali possano comportare

l’insorgere di problematiche per un progettista. Vth dipende

dalla temperatura e Ion dipende in maniera esponenziale da

Vth (si faccia riferimento alla Fig. 4). Quindi il valore della

corrente nello stato di “off” alle alte temperature è simile a

quello della corrente di “on” a temperature inferiori per un

circuito non compensato. In questo caso è necessario uno

sforzo aggiuntivo per assicurare il funzionamento affidabile

di un progetto “sub-threshold” in tutte le condizioni operative

specificate.

4. Problemi logistici

La maggior parte dei flussi di produzione sono basati su ipo-

tesi ragionevoli per i progetti “super-threshold” ma non appli-

cabili per i progetti “sub-threshold”. Un problema tipico è rap-

presentato dai tester utilizzati per validare il silicio durante

la produzione. Le unità PMU (Parametric Measurement Unit)

che hanno il compito di collaudare tensioni e correnti sono

state progettate per misurare correnti dell’ordine dei microA

e non dei nano o dei picoA.

Anche un’operazione semplice come la caratterizzazione

deve essere ripensata in quanto la sensibilità dei circuiti

“sub-threshold”

è

nettamente diversa da quella dei circui-

ti “super-threshold”. I tradizionali flussi di caratterizzazione

potrebbero non essere abbastanza esaustivi per garantire il

corretto funzionamento dei circuiti in tutte le condizioni pos-

sibili.

La natura innovativa di questi cambiamenti abbinata al fatto

che sono ancora pochi i progettisti in grado di affrontare le

problematiche legate alla progettazione “sub-threshold” dan-

no un’idea delle sfide da affrontare nella commercializzazio-

ne dei circuiti basati su questa tecnologia.

n

Fig. 4 – La dipendenza dalla temperatura dei circuiti “sub-threshold” è

di natura esponenziale

Fig. 3 – Il rapporto tra le correnti negli stati di “on” e di “off” è di ordini

di grandezza inferiori nella regione sotto-soglia