38 / 86
38
- ELETTRONICA OGGI 442 -GENNAIO/FEBBRAIO 2015
TECH-FOCUS
OPTO DISCRETI
decina di kV/μs, mentre per i dispositivi ottici la
gamma delle prestazioni disponibili nei prodotti at-
tualmente in commercio è molto più articolata.
In questo periodo alla
Purdue University
, che si trova
a West Lafayette nello stato dell’Indiana, un team di
ricerca sta portando avanti lo sviluppo di innovativi
fototransistor in grafene, che sfruttano le pregevoli
doti di mobilità elettronica, ampia banda di cattura
dei fotoni ed elasticità meccanica tipiche di questo
innovativo materiale, che viene ottenuto con proce-
dimenti resi disponibili grazie alla recente evoluzio-
ne delle nanotecnologie. I fototransistor in grafene, o
Graphene Field Effect Transistor (GFET), fabbricati
sopra un substrato di silicio-carbonio, hanno la lun-
ghezza d’onda di cattura a circa 400 nm e offrono
una velocità di risposta dell’ordine dei GHz, supe-
riore di almeno un ordine di grandezza rispetto alle
attuali fotogiunzioni di silicio, e una fotoresponsività
di circa 7,4 A/W a temperatura ambiente, ovvero tre
ordini di grandezza superiore rispetto ai migliori at-
tuali fotorivelatori.
Fototransistor con uscita di 2,5 A
Fairchild
ha realizzato i fototransistor OptoHiT, met-
tendo nello stadio di ingresso un diodo con etero-
giunzione di arseniuro di gallio alluminio, AlGaAs,
che emette all’infrarosso ed è adatto alle alte tem-
perature, grazie alla tolleranza termica stabile da -40
fino a 125 °C e alla tenuta in saldatura fino a 245
°C. Questi componenti sono caratterizzati dall’eleva-
to trasferimento di corrente accoppiato a un basso
assorbimento di potenza. I nuovi FOD8332 integrano
uno stadio di uscita con transistor Igbt/Mosfet che
può erogare fino 2,5A di corrente e offre fino a 8
kV di isolamento in tensione e fino a 35 kV/μs di
immunità ai transitori di modo comune. FODM8801C
è fornito in un piccolissimo package a 4 pin da
2,03x2,5x4,4 mm, ha un isolamento fra l’uscita e l’in-
gresso di 3,75 kVacrms, con tensione compresa fra
-5,0 e +0,8V e corrente che va da 1 a 10 mA, mentre
l’immunità ai transitori di modo comune è di 20 kV/
μs. Questo componente è ottimo per l’uso nei con-
vertitori di tensione dc/dc, nell’isolamento segnale/
rumore delle applicazioni industriali e nella regola-
zione della potenza sui set-top-box. Più isolante è il
fototransistor 4N38M per alta tensione, che consen-
te una tensione di lavoro sopra 300V e assicura un
isolamento ai picchi di ben 7,5 kVac.
Fotointerruttore per prodotti consumer
Sharp
propone un nuovo compatto e robusto fotoin-
terruttore di tipo trasmissivo, che può essere usato
per rilevare la posizione dei componenti Mems per
il posizionamento delle lenti di focalizzazione nelle
macchine fotografiche, oppure dei laser per la let-
tura dei dischi ottici nei set-top box o nei Blu-ray
driver o in altre simili applicazioni tipiche dei pro-
Fig. 4 – I fototransistor Fairchild OptoHiT FODM8801C consentono
un isolamento ottico di 3,75 kVacrms e un’immunità ai transitori
di modo comune di 20 kV/μs fino a 125 °C
Fig. 5 –Misura 2,26x1,4x1,6mme ha un’accuratezza ottica di 0,12
mm il nuovo fotointerruttore GP1S396HCPSF che Sharp consiglia
nei prodotti consumer