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EMBEDDED
61 • SETTEMBRE • 2016
NAND 3D |
IN TEMPO REALE
more e l’interferenza da cella a cella si riducono.
# ?
H
-
7 #
-
B,B= C= &# '
Triple-Level
Cell, cella a tre livelli
(
7 #
$
</F;/ 57|
$
C/F</ 57|
con dei dispositivi TLC da 15 nm. Questi valori
corrispondono a velocità di trasmissione di circa
.<< 5
7 #
Collegamenti nel silicio e oltre
Per ottenere velocità ancora superiori, è necessa-
rio ricorrere a nuove tecnologie per il collegamen-
B
7 #
prima generazione, gli strati sono collegati con le
tradizionali tecniche di
wire bonding
.
B > 9
9 =
6
$
À
-
cienti di collegare i
die
. L’azienda ha sviluppato la
Á B,B= 41
die
impilati, uti-
lizzando la tecnologia
Through-Silicon
8 ' 8(
per collegare i
die
7 #
Invece del
wire bonding
8
' (
attraversano i
die
'! C( # ?
di realizzare ingressi e uscite ad alta velocità, ri-
ducendo i consumi di energia.
&
8
-
trasmissione superiori a 1 Gbps – un valore più alto
Á B,B=
-
E 4 : 8
4 C 8
|
# ?
-
potenza necessaria per le operazioni di scrittura,
lettura e trasmissione dati in ingresso e in uscita,
rispetto ai prodotti che utilizzano il
wire bonding
.
Naturalmente, il futuro non si ferma con il 3D.
5
'G G,5
Resistive Random-Access Memory
) e memorie a
'@#5
Phase-Change Me-
mory
) iniziano ad apparire oltre l’orizzonte della
NAND 3D e potrebbero sostituire, nel lungo ter-
7 #
5
$
-
ra arrivare, ed è la memoria magneto-resistiva ad
'5G,5
Magneto-resistive Ran-
dom Access Memory
( & 5G,5 *
di memoria non volatile che permette di ottenere
-
=G,5
-
la NAND permette un numero praticamente illi-
|
& 5G,5
6
Á B,B=
AE
3
Á B,B= =G,5
=G,5
processo noto come
shadowing
.
# 5G,5
shadowing
non serve più. I dati
-
3
?
il vantaggio ulteriore di richiedere memorie NAND
Á
-
lizzate per archiviare dati a lungo termine.
Una rivoluzione nel campo delle memorie
La rivoluzione nel settore delle memorie allo stato
solido è dunque alle porte. Il ridimensionamento
À
-
die
di
2000 volte e la memoria tridimensionale li ridur-
rà ulteriormente. Grazie a questi cambiamenti le
memoria allo stato solido saranno ancora più al
centro dell’attenzione, mentre una percentuale
sempre maggiore di dati verrà memorizzata su
memorie allo stato solido.
Questi dispositivi non solo permettono un accesso
più veloce ai dati, ma possono anche rivoluzionare
le tecniche di progettazione, permettendo di me-
morizzare maggiori quantità di dati che possono
poi essere recuperati e analizzati a velocità estre-
mamente elevate.
Fig. 2 – Differenza tra la tecnologie wire bonding (a) e YVS (b)