Murata: DC-DC converter per pilotaggio transistor IGBT, SiC e MOSFET

Pubblicato il 19 settembre 2016

Murata ha ampliato la propria famiglia MGJ6, formata da convertitori DC-DC isolati da 6W a uscita doppia, con  nuovi modelli.

Ottimizzati per l’uso con i valori di tensione bipolari richieste per alimentare i gate drive “high/low side” che utilizzano transistor MOSFET, IGBT e SiC, i componenti della serie MGJ6 sono disponibili in package SIP, DIP e a montaggio superficiale (surface mount) a basso profilo.

La famiglia comprende modelli che supportano un ampio range di tensioni di ingresso a partire da valori nominali di 5, 12 o 24 VDC e uscite di +15/-5, +15/-10 o +20/- 5 VDC. Adatti per l’uso in applicazioni che prevedono potenze di valore medio/basso e richiedono un valore di “DC link” massimo di 3 kVDC, i convertitori forniscono uscite asimmetriche che garantiscono un livello ottimale di pilotaggio (drive), necessario per assicurare un’elevata efficienza del sistema con livelli di interferenze EMI ridotti.

Il basso valore della capacità di accoppiamento, pari a circa 15pF (valore tipico), contribuisce a ridurre l’accoppiamento delle interferenze EMI attraverso il convertitore. I convertitori della serie MGJ6 sono contraddistinti da un’immunità rispetto alla velocità di variazione della tensione (dV/dt immunity) pari a 80 kV/us (min.) a 1,6 kV, a garanzia di un funzionamento affidabile in tutti quei sistemi che prevedono commutazioni ad alta velocità. Anche le prestazioni relative alla scarica parziale (partial discharge) sono ottimizzate per assicurare una lunga vita operativa nelle applicazioni ad alte prestazioni.

 

pb



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