Rallenta nel 2012 la discesa dei prezzi delle DRAM
In base ai dati pubblicati di IHS iSuppli, il rallentamento nell'adozione quest'anno di nuove tecnologie di produzione per i semiconduttori provocherà un analogo rallentamento nella riduzione di prezzi per le DRAM nel 2012
Il rallentamento dell’adozione di nuovi processi di litografia per la riduzione delle geometrie nella produzione di DRAM è in grado di condizionare sensibilmente la produzione e quindi i prezzi.
Se nel primo trimestre si è potuto assistere a una riduzione del 5,6% a livello globale della geometria utilizzata nei processi litografici per la produzione delle DRAM, questo tasso di riduzione si è abbassato al 5,2% nel secondo trimestre e si prevede che arriverà al 4,8% nel terzo trimestre e al 3,7% nel quarto. Per il 2012 le stime prevedono una ulteriore riduzione al 2,9% con delle stime tra il 3,8% e il 4% per il resto dell’anno.
Dal punto di vista dei prezzi delle DRAM, a seguito di un calo del 14,2% nel primo trimestre del 2011, la diminuzione media dei prezzi per le DRAM è rallentata al 12% nel secondo trimestre.
Per l’immediato futuro, il tasso di diminuzione si prevede che possa scendere al 9% nel terzo trimestre e poi arrivare al 4% nel quarto trimestre. Questo tasso rallenterà ulteriormente, secondo le stime, ad appena l’1% nel primo trimestre del 2012, per poi rimanere nel range tra il 3% e il 4% durante il resto del 2012.
IHS prevede comunque che la riduzione dei costi DRAM possa tornare ad accelerare nel 2013 grazie all’aumento della spesa per le tecnologie di litografia.
Contenuti correlati
-
Innodisk: la memoria per potenziare l’IA
Innodisk ha annunciato la sua serie di DRAM DDR5 6400, appositamente realizzata per applicazioni ad alta intensità di dati nell’intelligenza artificiale, nella telemedicina e nell’edge computing. La capacità del singolo modulo arriva a 64 GB ed è...
-
Memorie per l’intelligenza artificiale
La memoria SCM (Storage Class Memory) si propone come una valida opzione rispetto ai tradizionali metodi di archiviazione basati su DRAM o flash, in grado di garantire costi competitivi senza penalizzare le prestazioni Leggi l’articolo completo su...
-
Dispositivi di memoria per sistemi embedded, le opportunità della MRAM
Il sistema di memorizzazione basato su tecnologia magnetoresistiva è di tipo non volatile e fornisce diversi benefici rispetto alle convenzionali memorie SRAM e DRAM. In virtù delle proprie caratteristiche, la tecnologia MRAM può soddisfare differenti casi d’uso in...
-
Una nuova soluzione IP LPDDR5X a 8533 Mbps da Cadence
Cadence Design Systems ha annunciato la disponibilità della sua nuova soluzione IP per memorie LPDDR5X. Questa interfaccia di memoria LPDDR5X ottimizzata per operare a 8533Mbps è -sottolinea Cadence- fino al 33% più veloce rispetto alla precedente generazione...
-
Winbond espande la produzione di SDRAM DDR3
Winbond Electronics ha introdotto alcuni miglioramenti alla sua linea di memorie DDR3 destinati a incrementare le prestazioni in termini di velocità. La roadmap della società prevede memorie SDRAM DDR3 con capacità da 1 a 4 Gb, DDR2...
-
Le nuove memorie UFS di KIOXIA compatibili MIPI M-PHY v5.0
KIOXIA Europe ha iniziato il campionamento dei primi dispositivi di memoria flash embedded Universal Storage Flash (UFS) compatibili con l’interfaccia MIPI M-PHY v5.0, e quindi capaci di comunicare a velocità decisamente elevate. I primi campioni sono quelli...
-
I moduli DRAM DDR5 di Innodisk
Innodisk ha presentato i moduli DRAM DDR5 per applicazioni industriali che offrono una serie di importanti miglioramenti delle prestazioni e per il risparmio energetico legate al nuovo standard. Le memorie DDR5 possono offrire una capacità per circuito...
-
La nuova soluzione di memoria basata su flash PCIe T5EN di SMART Modular
SMART Modular Technologies ha presentato le nuove unità flash T5EN PCIe / NVMe M.2 2280 e U.2 per le applicazioni aerospaziali, Difesa e industriali che richiedono l’archiviazione in memorie durature, robuste e sicure. T5EN offre performance Gen3x4,...
-
Memorie flash 3D di sesta generazione da KIOXIA e Western Digital
KIOXIA e Western Digital hanno annunciato lo sviluppo della propria tecnologia di memoria flash 3D a 162 strati di sesta generazione. Questa sesta generazione di memorie flash 3D presenta un’architettura avanzata e raggiunge una densità di matrice...
-
I moduli DRAM industriali di Innodisk per applicazioni FPGA
Innodisk ha recentemente presentato i suoi moduli DRAM industriali per applicazioni FPGA che offrono nuove opportunità per gli integratori di sistema e gli operatori di rete. Questi moduli offrono un ampio intervallo di temperature di lavoro, un...