Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200V

Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky (SBD) integrato. Questi componenti sono utilizzabili per applicazioni a 1500V DC come, per esempio, gli inverter fotovoltaici, i caricabatterie per i veicoli elettrici, i convertitori DC/DC ad alta frequenza e i sistemi di accumulo dell’energia.

Il nuovo modulo MOSFET dual SiC MG250YD2YMS3 è caratterizzato da una tensione nominale di 2200V ed è in grado di supportare una corrente di drain continua (ID) di 250A, con 500A in funzionamento pulsato (IDP). La tensione di isolamento è pari a 4000Vrms e il dispositivo può funzionare con temperature di canale (Tch) fino a 150°C.

Il dispositivo offre una bassa perdita di conduzione con un valore tipico di tensione di on (VDS(on)sense ) di 0,7V. Le perdite di commutazione sono ridotte al minimo con perdite tipiche di accensione e di spegnimento rispettivamente di 14mJ e 11mJ: ciò riduce i requisiti di gestione termica e consente quindi di utilizzare inverter più piccoli.

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