GaN e silicio: la sfida

Dalla rivista:
EO Power

 
Pubblicato il 11 ottobre 2022

La tecnologia GaN continuerà a migliorare in termini di prestazioni e costi, mentre i consolidati MOSFET al silicio non possono evolversi di molto, perché i limiti del cristallo di silicio sono stati raggiunti diversi anni fa 

 

Leggi l’articolo completo su EO Power 29

Alex Lidow, CEO e Co-founder - Efficient Power Conversion



Contenuti correlati

  • Rutronik
    MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik

    Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...

  • Nexperia
    Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower

    Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...

  • Magnachip
    Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione

    Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...

  • TTI
    TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay

    Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e...

  • Toshiba
    Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V

    I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...

  • Ween
    WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK

    WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) nel packaging TSPAK che offre prestazioni termiche particolarmente interessanti. L’evento di Norimberga è...

  • EPC
    EPC: un progetto di riferimento per amplificatori audio di classe D

    EPC9192 è la sigla di un progetto di riferimento di EPC per la realizzazione di amplificatori audio di classe D particolarmente potenti, compatti ed efficienti. Le alte prestazioni sono legate a un design modulare, che facilita la...

  • Infineon
    Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 7 da 80 V per applicazioni automotive

    Infineon Technologies ha introdotto il primo prodotto nella sua nuova tecnologia MOSFET OptiMOS 7 80 V. Siglato IAUCN08S7N013, il nuovo componente offre una densità di potenza particolarmente elevata ed è disponibile nel package SMD SSO8 5 x...

  • Infineon
    Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 6 da 200 V

    Infineon Technologies ha annunciato la famiglia di MOSFET OptiMOS 6 da 200 V. La nuova gamma è progettata per offrire prestazioni ottimali in applicazioni quali scooter elettrici, micro-veicoli elettrici e carrelli elevatori elettrici. Il produttore precisa che...

  • Ottimizzazione di inverter basati su dispositivi in GaN per il pilotaggio di motori BLDC

    Grazie alle superiori prestazioni di commutazione dei dispositivi in GaN, gli inverter che li utilizzano possono essere ottimizzati riducendo il numero di componenti, diminuendo così il volume complessivo dell’inverter rispetto a quelli basati su MOSFET a bassa...

Scopri le novità scelte per te x