Una nuova famiglia di dispositivi integrati con HEMT GaN da 700V da Innoscience

Pubblicato il 14 marzo 2024
Innoscience

Innoscience ha realizzato una famiglia di quattro nuovi dispositivi che integrano HEMT di potenza GaN, driver, rilevamento di corrente e altre funzionalità in un unico package standard QFN da 6x8mm.

I dispositivi SolidGaN ISG610x da 700V coprono la fascia da 140mΩ a 450mΩ e riducono l’ingombro su PCB e il numero di componenti in distinta base, al tempo stesso aumentando l’efficienza e semplificando la progettazione di applicazioni come per esempio caricatori USB-PD, illuminazione LED, alimentatori AC/DC e convertitori PFC, flyback QR, ACF e LLC.

I nuovi dispositivi integrati offrono un ampio intervallo da 9V a 80V VCC, rendendoli particolarmente interessanti per le applicazioni USB-PD che richiedono un’uscita fino a 28V.

La famiglia ISG610x di circuiti integrati offre, inoltre, una bassa corrente di quiescenza (115µA), grazie a un’innovativa modalità di standby che viene attivata quando la tensione del segnale PWM resta bassa per un certo periodo di tempo. In questo arco di tempo, la maggior parte dei circuiti interni viene spenta, riducendo drasticamente lo spreco di energia.

I dispositivi presentano anche uno slew rate programmabile per ridurre le interferenze elettromagnetiche (EMI). La dotazione comprende un regolatore interno della tensione lineare per assicurare un’alimentazione del driver a 6,5V rigorosamente controllata, massimizzando la capacità di corrente del transistor HEMT GaN e, al tempo stesso, garantendone l’affidabilità. Il circuito integrato offre blocco di sottotensione incorporato (UVLO), protezione da sovracorrente (OCP) e protezione da sovratemperatura (OTP).

Min Chen, VP of Design Engineering, Innoscience, ha dichiarato: “Grazie all’alto livello di integrazione con precisione elevata di rilevamento della corrente e bassa corrente quiescente, la famiglia ISG610x è ideale per applicazioni con pochi e semplici componenti ed efficienza elevata.”

Il Dott. Denis Marcon, General Manager di Innoscience Europe, ha dichiarato: “Sono entusiasta del lancio di questi nuovi componenti integrati per applicazioni in alta tensione, che vanno ad arricchire il nostro portafoglio di soluzioni discrete già disponibili sul mercato. Ora i progettisti possono scegliere fra le nostre soluzioni discrete e integrate quella più idonea alle loro applicazioni e alle esigenze della supply chain.”



Contenuti correlati

  • Innoscience
    I dispositivi GaN di Innoscience a PCIM 2024

    Innoscience Technology parteciperà a PCIM 2024, il principale evento europeo dedicato all’elettronica di potenza, presentando una gamma completa di attività e soluzioni basate sul GaN. Presso lo standa sarà infatti possibile vedere la sua gamma di dispositivi...

  • Innoscience porta la tecnologia GaN alla fase successiva

    Il nitruro di gallio (GaN) è un materiale semiconduttore a banda larga che, rispetto al silicio, presenta caratteristiche e prestazioni eccezionali, tra cui alta efficienza, elevata velocità di commutazione, eccellente gestione termica, ingombro e peso ridotti. Per...

  • Innoscience: il primo dispositivo GaN per telefoni cellulari

    Innoscience Technology ha annunciato INN40W08, un transistor HEMT GaN-on-Si bidirezionale da 40V per dispositivi mobili, compresi laptop e telefoni cellulari. HEMT INN40W08 è stato sviluppato utilizzando l’avanzata tecnologia InnoGan dell’azienda che si caratterizza per una resistenza di...

Scopri le novità scelte per te x