Innoscience: il primo dispositivo GaN per telefoni cellulari

Innoscience Technology ha annunciato INN40W08, un transistor HEMT GaN-on-Si bidirezionale da 40V per dispositivi mobili, compresi laptop e telefoni cellulari.

HEMT INN40W08 è stato sviluppato utilizzando l’avanzata tecnologia InnoGan dell’azienda che si caratterizza per una resistenza di on particolarmente bassa. Dotati di una capacità di blocco bidirezionale, i nuovi HEMT INN40W08 GaN presentano infatti una resistenza di on di 7,8mΩ.

La carica del gate (QG) tipica è di 12,7nC. Il package WLCSP (grid wafer level chip scale) con matrice 5×5 misura 2x2mm e l’ingombro ridotto consente di integrare gli HEMT INN40W08 all’interno dei telefoni cellulari.

Le applicazioni includono la commutazione del carico al lato alto, la protezione dalle sovratensioni nella porta USB di uno smartphone e diverse tipologie di alimentatori inclusi caricabatterie e adattatori. La tecnologia al GaN di Innoscience consente di realizzare sistemi più compatti per la protezione dalle sovratensioni (OVP), con la sostituzione di due MOSFET al silicio con un transistor InnoGan (o BiGan). Ciò consente di risparmiare sui costi complessivi dell’unità OVP e ne riduce le dimensioni, un aspetto questo molto importante se si considerano i vincoli di spazio sul circuito stampato di un telefono cellulare.

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