Innoscience: il primo dispositivo GaN per telefoni cellulari

Innoscience Technology ha annunciato INN40W08, un transistor HEMT GaN-on-Si bidirezionale da 40V per dispositivi mobili, compresi laptop e telefoni cellulari.

HEMT INN40W08 è stato sviluppato utilizzando l’avanzata tecnologia InnoGan dell’azienda che si caratterizza per una resistenza di on particolarmente bassa. Dotati di una capacità di blocco bidirezionale, i nuovi HEMT INN40W08 GaN presentano infatti una resistenza di on di 7,8mΩ.

La carica del gate (QG) tipica è di 12,7nC. Il package WLCSP (grid wafer level chip scale) con matrice 5×5 misura 2x2mm e l’ingombro ridotto consente di integrare gli HEMT INN40W08 all’interno dei telefoni cellulari.

Le applicazioni includono la commutazione del carico al lato alto, la protezione dalle sovratensioni nella porta USB di uno smartphone e diverse tipologie di alimentatori inclusi caricabatterie e adattatori. La tecnologia al GaN di Innoscience consente di realizzare sistemi più compatti per la protezione dalle sovratensioni (OVP), con la sostituzione di due MOSFET al silicio con un transistor InnoGan (o BiGan). Ciò consente di risparmiare sui costi complessivi dell’unità OVP e ne riduce le dimensioni, un aspetto questo molto importante se si considerano i vincoli di spazio sul circuito stampato di un telefono cellulare.

Contenuti correlati

• 
  Una nuova famiglia di dispositivi integrati con HEMT GaN da 700V da Innoscience

  Innoscience ha realizzato una famiglia di quattro nuovi dispositivi che integrano HEMT di potenza GaN, driver, rilevamento di corrente e altre funzionalità in un unico package standard QFN da 6x8mm. I dispositivi SolidGaN ISG610x da 700V coprono...
• 
  Analog Devices: un nuovo driver per il controllo dei FET GaN

  LT8418 è un nuovo driver GaN half-bridge da 100 V di Analog Devices progettato per semplificare l’implementazione dei FET GaN. Questo componente può essere configurato in topologie sincrone half-bridge e full-bridge, oppure in topologie buck, boost e...
• 
  Nuove gamme di dispositivi GaN da Texas Instruments

  Texas Instruments (TI) ha presentato due nuove gamme di dispositivi di conversione di potenza che consentono di ottenere maggiori densità di potenza. I nuovi stadi di potenza integrati al nitruro di gallio (GaN) da 100 V di...
• 
  Renesas Electronics acquisirà Transphorm

  Renesas Electronics e Transphorm, produttore di semiconduttori di potenza GaN, hanno annunciato di aver stipulato un accordo definitivo in base al quale una controllata di Renesas acquisirà tutte le azioni ordinarie di Transphorm. La transazione valuta Transphorm...
• 
  TI espande la sua gamma di FET GaN

  Texas Instruments (TI) ha annunciato di aver ampliato la sua gamma di prodotti basati su tecnologia GaN con nuovi FET con gate driver integrati, tra cui i dispositivi LMG3622, LMG3624 e LMG3626, che permettono di raggiungere velocità...
• 
  Legrand adotta la tecnologia GaN di Innoscience

  Innoscience Technology ha annunciato che la multinazionale Legrand, specializzata in infrastrutture elettriche e digitali per l’edilizia, utilizzerà i dispositivi InnoGaN nelle nuove prese elettriche per utenze domestiche per soddisfare il crescente fabbisogno di potenza di dispositivi come...
• 
  CGD sigla un accordo sul GaN con Chicony Power e Cambridge University Technical Services

  L’azienda fabless Cambridge GaN Devices (CGD), specializzata in dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN), ha siglato un accordo con l’azienda taiwanese Chicony Power Technology e con l’impresa britannica Cambridge University Technical Services (CUTS) per progettare...
• 
  Una nuova generazione di alimentatori ultracompatti da COSEL

  COSEL ha realizzato una nuova generazione di alimentatori estremamente compatti per applicazioni industriali, la serie TE. Utilizzando le tecnologie più avanzate, come i semiconduttori wide bandgap al nitruro di gallio (GaN), i trasformatori planari ad alta frequenza...
• 
  Riconoscimento alla Innovation Zone europea di TSMC per gli HEMT ICeGaN di CGD

  Il SoC HEMT GaN ICeGaN di Cambridge GaN Devices (CGD) ha ottenuto il riconoscimento “Miglior demo” alla Innovation Zone del 2023 Europe Technology Symposium di TSMC. CGD evidenzia che il suo ICeGaN , che è ora nella...
• 
  Innoscience ha venduto oltre 300 milioni di chip InnoGaN

  Innoscience Technology ha annunciato di aver spedito oltre 300 milioni di chip InnoGan al nitruro di gallio fino ad agosto 2023. L’azienda ha infatti aumentato le vendite di dispositivi GaN del 500% anno su anno, a fronte...