Un nuovo VGAN a 100V da Innoscience Technology

In nuovo dispositivo VGaN a 100V di Innoscience Technology  può essere utilizzato per raggiungere un’efficienza elevata nei sistemi di gestione della batteria (BMS) da 48V o 60V, oltre che in applicazioni su interruttori di carico ad alta tensione (high-side) nei trasformatori bidirezionali, circuiti di commutazione in sistemi di potenza e altri ambiti. Questo dispositivo, siglato INV100FQ030A, è utilizzabile anche per applicazioni quali batterie, postazioni di ricarica portatili, scooter elettrici e biciclette elettriche eccetera.

Innoscience Technology sottolinea che un dispositivo VGaN può sostituire due MOSFET in silicio accoppiati, con i relativi vantaggi.

INV100FQ030A a 100V supporta diverse modalità operative: two-way pass-through (bidirezionale passante), two-way cut-off (bidirezionale isolante) e no-reverse-recovery (tempo di ripristino zero). I dispositivi presentano una carica di gate estremamente bassa (90nC), una on-resistance dinamica di 3,2mΩ e un package compatto da 4x6mm.

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