Un amplificatore AB invertente basato su due celle di amplificazione a semionda
Dalla rivista:
Elettronica Oggi
Sovente i transistor si trovano utilizzati come amplificatori in configurazione a tre pin, dove spesso l’ingresso e l’uscita occupano lo stesso pin. In tal caso su questo pin l’uscita e l’ingresso condividono la medesima tensione. Perciò, il principale vantaggio di usare un amplificatore a quattro pin è proprio la possibilità di isolare nei circuiti l’ingresso dall’uscita. In effetti, sfruttando la presenza del quarto pin si può implementare un optoisolatore affiancandolo con un ulteriore transistor in modo tale da formare un amplificatore in classe AB isolato.
La figura 1 mostra un esempio di amplificatore invertente in classe AB da 1 kVpp che sfrutta due celle di amplificazione a semionda identiche e in controfase. La risposta in frequenza va dalla continua a 20 kHz a pieno guadagno, il quale è dato dal rapporto fra R2 e R1, ma si può far lavorare il circuito a frequenza maggiore penalizzando tuttavia il guadagno.
Fig. 1 – I transistor servono a innalzare la tensione e la corrente in uscita dagli optoisolatori in misura sufficiente a formare un amplificatore invertente isolato
In pratica, i due stadi a transistor servono a elevare la tensione d’uscita mantenendola però nettamente separata rispetto all’ingresso grazie agli optoisolatori. Questa configurazione risparmia la necessità del gran numero di componenti tipicamente usati nei circuiti convenzionali per innalzare il livello della tensione. Gli ingressi di +15 V e -15 V insieme ai resistori R4 e R5 forniscono la polarizzazione indispensabile per mantenere i transistor sempre accesi e in conduzione. Un’attenta calibrazione dei valori di queste resistenze può eliminare ogni possibilità di distorsione di crossover.
I diodi Zener D1 e D2 si occupano di mantenere i fotodiodi dell’optoisolatore polarizzati costantemente a 6,2 V, mentre i resistori R10, R11, R12 e R13 servono per fornire la retroazione negativa ai transistor d’uscita. Si possono montare sopra i quattro Mosfet a canale N STW8N80 adeguati diffusori termici che ne agevolano il raffreddamento. D’altra parte, questo circuito non necessita di protezione dai cortocircuiti e per prevenirne ogni eventualità è sufficiente aggiungere una coppia di limitatori da 125 mA sulle linee ad alto voltaggio.
Fig. 2 – La risposta a onda quadra a 10 kHz dell’amplificatore evidenzia un’ottimale fedeltà dinamica
La figura 2 mostra la risposta a onda quadra a 10 kHz, dove si vede che non ci sono né sotto, né sovra elongazioni e il fronte di salita è perfettamente simile e antisimmetrico rispetto a quello di discesa. La figura 3 mostra la precisa risposta sinusoidale a 20 kHz, dove entrambe le uscite sono fissate a 1 kVpp.
Fig. 3 – La risposta sinusoidale dell’amplificatore a 20 kHz mostra un segnale d’uscita oltremodo preciso
Joseph Wee Ting, Institute of Atomic and Molecular Sciences, Sinica Academy, Taipei, Taiwan
Contenuti correlati
-
Nuovi diodi Schottky da 1200 V da Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha aggiunto alla sua offerta dieci nuovi diodi a barriera Schottky (SBD) da 1200 V realizzati in carburo di silicio (SiC). Si tratta della serie TRSxxx120Hx, composta da cinque prodotti alloggiati in package TO-247-2L...
-
MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik
Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...
-
Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower
Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
-
Nuovi diodi raddrizzatori da 650 V da Nexperia
Nexperia ha rilasciato i sui nuovi diodi raddrizzatori da 650 V ospitati in packaging D2PAK Real-2-Pin (R2P) per l’uso in varie applicazioni automotive, industriali e di consumo, come per esempio i sistemi di ricarica, inverter e alimentatori...
-
Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione
Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...
-
TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay
Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e...
-
Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V
I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...
-
Qualificazione ELDRS per i transistor JAN di Microchip
Microchip Technology ha annunciato che i suoi transistor JAN (Joint Army Navy) sono stati testati e qualificati per i requisiti dello Standard Militare Enhanced Low Dose Radiation Sensitivity (ELDRS) tra cui MIL-STD-750, Test Method 1019 e specifiche...
-
Il GaN nella progettazione di alimentatori: vantaggi e sfide
I transistor GaN aprono la strada allo sviluppo di progetti di alimentatori caratterizzati da efficienze più elevate, densità di potenza maggiori e fattori di forma più ridotti Leggi l’articolo completo su EO Power 35
-
WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK
WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) nel packaging TSPAK che offre prestazioni termiche particolarmente interessanti. L’evento di Norimberga è...