TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay

Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e utilizza un package PowerPAK 8 x 8LR.

SiHR080N60E usa un raffreddamento sul lato superiore (Top Side) e offre una bassissima resistenza termica tra giunzione e involucro (drain) (Rthjc), pari a 0,25 °C/W.

Il nuovo MOSFET di Vishay è adatto a soluzioni di alimentazione da 3kW in applicazioni quali: server, edge computing, super computer e archiviazione dati; gruppi di continuità (UPS); telecomunicazioni; inverter solari; controllo del movimento, azionamenti di motori e caricabatterie.

“Poiché le applicazioni dei clienti richiedono sempre più miglioramenti in termini di efficienza e densità di potenza da apparecchi più piccoli, siamo lieti di supportarli offrendo questo nuovo dispositivo, che consente di ottenere potenze e densità maggiori rispetto al D2PAK”, ha dichiarato Markus Walz, Business Development Manager Europe di TTI.

Contenuti correlati

• 
  I relè OMRON G9KC disponibili da TTI

  Il distributore TTI IP&E – Europe ha aggiunto alla sua offerta di prodotti la serie di relè per circuiti stampati ad alta potenza OMRON G9KC. Si tratta di relè a 4 poli da 480VCA e 40A che...
• 
  TTI Europe distribuisce il sistema di ricarica Excel|mate Megawatt di Amphenol

  Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità di spine, e relative prese, della serie Megawatt Charging System (MCS) Excel|mate di Amphenol Industrial. Questi componenti sono in grado di supportare la ricarica superveloce di veicoli...
• 
  Le soluzioni di alimentazione rack di Mean Well da TTI

  TTI IP&E – Europe fornisce i componenti di alimentazione per armadi rack di Mean Well come per esempio il modello DHP-1UT-B(HV). Questo prodotto fornisce un’alimentazione affidabile in un design modulare ed è particolarmente interessante per applicazioni come...
• 
  MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik

  Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...
• 
  Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower

  Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
• 
  Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione

  Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...
• 
  Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V

  I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...
• 
  Accordo di distribuzione tra TTI Europe e Chemi-Con

  TTI IP&E – Europe ha annunciato la firma di un accordo di distribuzione autorizzato con il produttori di condensatori elettrolitici Chemi-Con. Questo accordo estende la partnership già esistente tra le due aziende in America del Nord. “Siamo...
• 
  Utilizzo delle tecnologie a celle a combustibile alimentate a idrogeno nel settore dei trasporti

  Il settore dei trasporti FCEV sta vivendo una significativa crescita e innovazione, con importanti aziende automobilistiche, di veicoli commerciali e tecnologiche che investono nella tecnologia delle celle a combustibile alimentate a idrogeno Leggi l’articolo completo su EO...
• 
  WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK

  WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) nel packaging TSPAK che offre prestazioni termiche particolarmente interessanti. L’evento di Norimberga è...