Toshiba Electronics Europe: MOSFET “2 in 1”

Toshiba Electronics Europe ha annunciato l’introduzione di due nuovi MOSFET “2 in 1”: i dispositivi SSM6L61NU e SSM6N61NU. Si tratta di transistor MOSFET, disponibili in compatti contenitori SOT-1118 (UDFN6), che offrono un’eccellente dissipazione termica e una bassa resistenza di conduzione tra drain e source [R_DS(ON) = 25 mΩ (tipica) nel canale N, V_GS = 4,5 V]. Tali caratteristiche li rendono adatti come commutatori di potenza e come convertitori DC-DC in una varietà di dispositivi mobili, tra cui smartphone e tablet. I nuovi dispositivi SSM6L61NU e SSM6N61NU possono anche essere utilizzati in sistemi di gestione della batteria e nella commutazione sotto carico con interfacce USB Tipo C.

Con una resistenza di conduzione del canale N pari a 25 mΩ, il minimo valoro oggi disponibile sul mercato, i nuovi MOSFET contribuiscono a ridurre le perdite di potenza negli alimentatori ed estendono la durata operativa dei dispositivi a batteria. Il modello in SSM6L61NU è un dispositivo in configurazione complementare mentre il modello SSM6N61NU è un dispositivo in configurazione duale a canale N. Quando vengono utilizzati in applicazioni con interfacce USB Tipo-C, entrambi possono essere inseriti tra la V_out (tensione di uscita) del chip di gestione della potenza e il system-on-chip (SoC), o in altri punti del circuito.

Un piccolo contenitore, di soli 2 mm x 2 mm, permette di ridurre la potenza dissipata (P_D = 1 W) e l’ingombro dei MOSFET del 50%, rispetto ai dispositivi in contenitore PS-8.

pb

Contenuti correlati

• 
  MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik

  Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...
• 
  Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower

  Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
• 
  Rafforzare le supply chain degli OEM: il ruolo delle strategie di “second sourcing”

  Un’analisi dei vantaggi dell’attuazione di una strategia di approvvigionamento basata sul second sourcing in grado di attenuare i rischi legati alle interruzioni della catena di fornitura Leggi l’articolo completo su EO520
• 
  Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione

  Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...
• 
  TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay

  Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e...
• 
  Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V

  I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...
• 
  WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK

  WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) nel packaging TSPAK che offre prestazioni termiche particolarmente interessanti. L’evento di Norimberga è...
• 
  Quattro fotoaccoppiatori da Toshiba per applicazioni a bassa velocità

  Toshiba Electronics Europe ha introdotto quattro fotoaccoppiatori che risolvono i problemi causati dai segnali con tempi lenti di salita e discesa del segnale e dagli alimentatori slow startup . Questi dispositivi utilizzano emettitori di luce e ricevitori...
• 
  Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 7 da 80 V per applicazioni automotive

  Infineon Technologies ha introdotto il primo prodotto nella sua nuova tecnologia MOSFET OptiMOS 7 80 V. Siglato IAUCN08S7N013, il nuovo componente offre una densità di potenza particolarmente elevata ed è disponibile nel package SMD SSO8 5 x...
• 
  Toshiba aggiorna il suo software per lo sviluppo di drive per motori

  Toshiba Electronics Europe ha aggiornato ed esteso il suo ambiente di progettazione per i drive per motori DC brushless (BLDC) e per motori sincroni a magneti permanenti (PMSM). In particolare sono state aggiunte nuove funzionalità che acquisiscono...